3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

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5.1 存储器概述 5.1.1 存储器的发展 5.1.2 光盘存储的类型 5.1.3 光存储的特点 5.1.4 光盘的性能参数 5.2 光盘存储的工作原理 5.2.1 光盘驱动器的结构 5.2.2 光盘的读/写原理 5.2.3 光盘的格式 5.2.4 光盘的制作 5.3 CD、VCD、DVD、可擦写光盘 5.3.1 CD 5.3.2 VCD 5.3.3 DVD 5.3.4 可擦写光盘 5.4 其它光存储技术 5.4.1 双光子光学存储 5.4.2 光谱烧孔存储技术 5.4.3 电子俘获光存储技术（ETM） 5.4.4 高密度磁光存储技术

1 图示为光电效应的实验曲线: (1) 求证对不同材料的金属，AB线的斜率相同. (2) 由图上数据求出普朗克常数．

一、X射线的性质:波粒二重性,感光作用,荧光作用,电离作用,无折射,衍射现象,穿透能力强 二、X射线的强度:单位时间通过的光子数的多少 三、X射线的发生:真空中极高速度运动的电子碰撞阳极时产生射线 四、X射线谱:特征X射线的波长,激发电压 五、X射线的吸收:当X射线通过物质时,转变成其他形式的能量,只有一小部分穿过

压电式传感器是以某些晶体受力后在其表面产生电荷的压电效应为转换原理的传感器。它可以测量最终能变换为力的各种物理量，例如力、压力、加速度等。压电式传感器具有体积小、重量轻、频带宽、灵敏度高等优点。近年来压电测试技术发展迅速，特别是电子技术的迅速发展，使压电式传感器的应用越来越广泛。 6.1 基本原理分析 6.2 压电材料及压电元件的结构 6.3 测量电路 6.4 压电式传感器的应用

愿意、光电效应实验的规律 (1)实验装置 光照射至金属表面,电子从金 属表面逸出,称其为光电子 (2)实验规律 截止频率(红限) 0 仅当>V才发生光电效应, 截止频率与材料有关与光强无关

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1. 何谓非晶态，其结构与晶态有何区别？ 2. 安德森模型与晶态固体的周期性势阱模型有何异同？它得出的非晶态材料电子能态有哪些特征？

第一节 弹性 金属的应力-应变曲线 弹性变形 弹性模量的物理意义 第二节 晶体的塑性变形 单晶体的塑性变形 多晶体的塑性变形 合金的塑性变形 塑性变形对材料组织和性能的影响 第二节 晶体的塑性变形 单晶体的塑性变形 多晶体的塑性变形 多晶体变形的特点 细晶强化及其机理 合金的塑性变形 单相固溶体合金的塑性变形 多相合金的塑形变形 冷变形金属的组织与性能 第三节 冷变形金属的回复和再结晶 冷变形金属加热时的组织和性能变化 冷变形金属的回复 冷变形金属的再结晶 再结晶后的晶粒长大 第四节 金属的热变形、动态回复与再结晶 金属的热变形 金属的蠕变 金属的超塑性 第五节 陶瓷晶体的变形 THE DEFORMATION OF CERAMIC CRYSTAL 变形特点 影响变形的主要因素 第六节 高分子材料的变形 POLYMER MATERIALS 热塑性塑料的变形 热固性塑料的变形