北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（教学大纲）数字集成电路原理与设计

1.1 About Digital Design(关于 “ 数字设计 ”) 1.2 Analog versus Digital(模拟与数字) 1.3 Digital Devices(数字器件) 1.4 Electronic Aspects of Digital Design(数字设计的电子技术) 1.5 Software Aspects of Digital Design(数字设计的软件技术) 1.6 Integrated Circuits（集成电路，IC） 1.7 Programmable Logic Devices(可编程逻辑器件)  Programmable Logic Array(PLA, 可编程逻辑阵列)  Programmable Array Logic (PAL, 可编程阵列逻辑)  Programmable Logic Device(PLD, 可编程逻辑器件)  Complex PLD (CPLD, 复杂可编程逻辑器件)  Field-Programmable Gate Array(FPGA, 现场可编程门阵列） Digital Logic Design and Application (数字逻辑设计及应用) 1.8 Application-Specific ICs[专用集成电路（ASIC）] 1.9 Printed-Circuit Boards(PCB, 印制电路板) 1.10 Digital Design Levels（数字设计层次）  Device Physics Level (器件物理层）  IC Manufacturing Process Level（IC 制造过程级）  Transistor Level (晶体管级）  Gates Structure Level (门电路结构级）  Logic Design Level （逻辑设计级）  Overall System Design（整体系统设计） Digital Logic Design and Application (数字逻辑设计及应用)

3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 3.4 TTL门电路 3.5 ECL集成电路 3.6 Bi-CMOS电路 3.7 不同类型数字集成电路间的接口

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

8—1 模拟集成电路设计——电流模法 8—2 电流反馈型集成运算放大器 8—3 开关电流——数字工艺的模拟集成技术 8—4 跨导运算放大器(OTA)及其应用 8—5 在系统可编程模拟器件(ispPAC)原理及其软件平台

第1章 晶体二极管及其基本电路 第2章 双极型晶体管及其放大电路 第3章 场效应管及其基本电路 第4章 集成运算放大器电路 第5章 频率响应 第6章 反馈 第7章 模拟集成电路系统 第8章 现代模拟集成电路技术 第9章 功率电路及系统

4.1 电阻、电感和电容的测量 4.2 半导体二极管、三极管与场效应管的测量 4.3 集成电路的测试

数字集成电路的发展 自 20 世纪 60 年代以来遵循摩尔定律，每 1.5 年集成度与速度提高一倍。 从简单的门电路到复杂的数字系统，系统复杂程度急剧提高