针对一般矢量控制系统存在的动、静态转矩电流与磁场电流的耦合问题,在分析磁场定向偏差对系统性能影响的基础上,首次引入自适应逆控制策略的控制方案,并分析了方案的控制特点.理论分析及仿真实验表明,该控制策略可以有效地解决一般矢量控制系统存在的转矩与磁场耦合对系统性能造成的影响,提高系统动、静态性能

叙述了研制出的完全数字化异步电动机调速系统,主回路采用SPWM变频器,控制回路采用电流、转速双闭环及具有磁通闭环的矢量控制方式。全系统实现由2片8031单片微型计算机。并提出了用磁能运算法提取磁通量,以形成磁通闭环的方法;主要谐波之间的定量分析结论,保证了磁场定向的准确性和降低了转矩的脉动,获得了优良的调速控制性能

本文运用定向凝固方法,在不同冷却条件下对不同成分灰铸铁的凝固过程运用微分仪进行热分析.结果表明:在碳当量相同的条件下,随着Si/C比的提高,Fe-C-Si合金的最小共晶凝固温度升高.并进一步分析了Si使高Si/C比灰铸铁奥氏体枝晶数量增加的原因,提出了Si促使灰铸铁共晶共生区向右偏移的一论断,并利用出现奥氏体枝晶的临界冷却速度,半定量地描绘出了硅使得共晶共生区向右偏移的曲线

采用Sn-2.5Ag-2.0Ni焊料钎焊了具有Ni(P)/Ni(B)和Ni(P)/Ni两种双镀层结构的SiCp/Al复合材料.结果表明,SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)和SnAgNi/Ni/Ni(P)两种接头均生成唯一的金属间化合物Ni3Sn4.SnAgNi焊料与Ni(B)镀层之间的快速反应速度使Ni3Sn4金属间化合物具有高的生长速度.时效初期的SnAgNi/Ni/Ni(P)接头的剪切强度高于SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头,但在250h时效后其剪切强度剧烈下降,低于SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头.金属间化合物的生长及裂纹的形成是SnAgNi/Ni/Ni(P)接头失效的主要原因,而SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头失效的主要原因是Ni(P)镀层中Ni原子的定向扩散使SiCp/Al复合材料与Ni(P)处产生孔洞

采用区域熔化定向凝固技术,研究了冷速在26~130K/s范围内Ni-5%Cu合金的组织转变过程。试验结果表明:在温度梯度1300K/cm情况下,生长速度在500~700μm/s区间上,结晶形貌发生枝胞转变。温度梯度对亚快速凝固组织影响很大。晶体生长方向影响结晶形态选择

延安大学：《病理学 Pathology》课程教学资源（理论教学大纲）定向

利用RTO金属包埋切片微米-纳米表征法,通过高分辨透射电镜观察了γ-AlOOH薄膜切片中的晶格点阵条纹像,分析了添加复合添加剂后异型纳米AlOOH的微观晶体结构,从原子层面揭示了由于铁离子的同晶替代以及硫酸根离子的插层而导致的晶格畸变.阐述了极性添加剂在晶须生长过程中首先形成复合的高聚体、进而定向生长的诱导机理,并指出了非极性表面活性剂对异型纳米AlOOH晶体形貌表面的修复和\美容\作用.用能谱及红外光谱佐证了复合多聚体的存在

采用区域熔化定向凝固装置,对冷却速度在13~130K/s范围内Ni-5%Cu合金的结晶形貌研究表明:在温度梯度1300K/cm条件下,晶体生长速度v=500μm/s时,不同结晶取向晶粒的结晶形貌不同;当晶体生长速度v=800μm/s时,不同结晶取向晶粒的细胞晶间距不同,亚快速凝固条件下,晶体生长方向对结晶形貌的影响非常显著

研究了Tb0.3Dy0.7(Fe1-x,Mx)1.95(M=Mn,Al,B,Ti,x=0.03)合金在高温度梯度区熔定向凝固过程中,晶体轴向取向、结晶形貌随晶体生长速度的变化规律和不同晶体轴向取向与磁致伸缩应变之间的关系.结果发现,晶体生长速度由低变高时,晶体由平面晶向胞状晶、胞技晶、树枝晶生长转化.晶体也相应地由利,变化为++混合轴向取向.完全的轴向取向可获得优异的磁致伸缩性能

《工程科学学报》：切缝药包爆破定向裂纹与张开节理相互作用的实验研究（北京科技大学）