在大方坯连铸中,经常出现的缺陷是表面网状裂纹.由于铸坯表面存在网状裂纹导致轧制过程中出现严重的纵裂纹.通过微观检测、热模拟等手段分析了表面网状裂纹产生的原因及机理,由实验结果可以看出,表面网状裂纹沿异常粗大的奥氏体晶粒开裂,其实质是奥氏体晶间裂纹;异常粗大的奥氏体晶粒、残余元素Cu的富集以及AlN、BN等氮化物和先共析铁素体薄膜的析出是导致该钢种产生晶间裂纹的主要原因;大的奥氏体晶粒是残余元素富集以及氮化物和先共析铁素体薄膜析出的先决条件,因此表面网状裂纹是第Ⅱ和第Ⅲ脆性区间相互作用的结果,经常出现在存在凹陷和鼓肚的部位;异常粗大的奥氏体晶粒产生的主要原因是高的过热度和不均匀冷却

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

教学目标： 1、掌握光的各种干涉装置和干涉仪，光的干涉现象及其应用。 2、掌握分波前法，分振幅法分解波列的方法。 3、掌握光场的空间相干性和时间相干性概念。 §1 分波前干涉装置 光场的空间相干性 §2 薄膜干涉（一）——等厚条纹 §3 薄膜干涉（二）——等倾条纹 第三章 干涉装置 光场的时空相干性

§1—1 光的电磁理论 §1—2 波动的独立性、叠加性简谐波的表达式 §1—3 由单色光波叠加所形成的干涉花样 §1—4 分波面双光束干涉 §1—5 干涉条纹的可见度，光波的时间相干性和空间相干性 §1—6 菲涅耳公式 §1—7 分振幅薄膜干涉（一）——等倾干涉 §1—8 分振幅薄膜干涉（二）——等厚干涉 §1—9 迈克耳孙干涉仪 §1—10 法布里—珀罗干涉仪多光束干涉 §1—11 干涉现象的一些应用，牛顿圈

一、等离子体的一般性质 二、等离子体辅助CVD的机理和特点 三、等离子体辅助的CVD方法

§3.5 时间相干性 §3.6 光程（optical path） §3.7 薄膜干涉（一）——等厚条纹

一、刮板式薄膜浓缩设备 1.组成:

研究了利用(KOH+K3(Fe (CN)6)+H2O和H2SO4+H2O2)两种溶液浸蚀硬质合金基体,分别选择性刻蚀WC和Co的表面预处理过程.在浸蚀过的硬质合金基体上,用强电流直流伸展电弧等离子体CVD法沉积金刚石薄膜涂层.结果表明,两步混合处理法不仅可以有效地去除硬质合金基体表面的钻,而且还显著粗化硬质合金基体表面,提高了金刚石薄膜的质量和涂层的附着力

一、 气体的放电现象与等离子体 二、 物质的溅射效应和溅射产额 三、各种各样的溅射技术