微波等离子体CVD金刚石薄膜的显微结构

D0I:10.13374/j.issn1001-053x.1994.03.010 第16鑾第3期 北京科技大学学报 Vol.16 No.3 19946 Journal of University of Science and Technology Beijing June 1994 微波等离子体CD金刚石薄膜的显微结构+ 袁逸杨保雄白元强王建军吕反修 北京科技大学材料科学与工程系，北京100083 精要用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对6种微波等离子体CVD金刚石薄膜的表面形 态和显徽结构进行了研究，结果表明：在金刚石晶粒长大过程中，(1)面方向长大时产生密度 很高的微孪晶缺陷，而(100)面方向长大时产生的晶体缺陷较少， 关铺词金刚石，薄膜，显微结构/MPCVD 中图分类号0613.71；076 Microstructure of Diamond Thin Films by Microwave Plasma CVD+ Yuan Yi Yang Baoxiong Bai Yuangiang Wang Jianjun Lu Fanxiu Department of Marterials Science and Engineering.USTB,Beijing 100083,PRC ABSTRACT The morphology and the microstructure of six different dianond films deposited by microwave plasma CVD have been studied by SEM and TEM.The observations of microstructure indicate that high dencity microtwins are formed during the (111)planes growth and a few of crystal defects are formed during the (100)planes growth. KEY WORDS diamond,thin films,microstructure/MPCVD 气相沉积金刚石薄膜的表面形貌和晶粒的取向与沉积条件紧密相关.Ravi等人【)认为 金刚石晶体形貌随着生长气氛中C/H比的增加由“八面体→十四面体→正方体→徽晶→ 无序相”变化.Kobashi等人I2,3)用MPCVD方法生长金刚石薄膜，在Si衬底温度8O0℃， 当CH浓度小于0.4%时，(111)刻面占优势，当CH4浓度在0.4%~1.2%时，(100)刻 面占优势；当CH,浓度高于l4%时生成微晶.Haubner等人【在微波CVD实验中，在 600℃、CH,浓度为0.3%时，(100)刻面占优势：在750℃以上(111)刻面开始占优势. 我们利用徽波等离子体CVD技术在280~850℃，于Si衬底上获得了多晶金刚石薄 膜，本文用SEM和TEM对6种不同沉积条件下的金刚石薄膜的表面形貌和显微结构特征 进行了观察和分析. 1999-10-08收稿第一作者女53岁副教授 +高技术新材料专家委员会资助项目

第16 . 第 3 期 1 9 94 年 6 月 北 京 科 技 大 学 学 报 oJ 理比aL l o f U in 慨iyt o f s d en ce a dn T eC h n o l o g y eB ij in g V o l . 16 N 0 . 3 J . 笼 19 9 4 微波等离子 体C V D 金 刚石薄膜 的显微结构 + 袁 逸 杨保雄 白元强 王 建军 吕反修 北京科技大学材料科学与工 程系 . 北京 1仪幻8 摘典 用扫描电镜 (S E M ) 和 透射电镜 ( ET M ) 对 6 种微波等离子体 C V D 金 刚石薄 膜 的表 面 形 态和显微结构进行 了研究 . 结果表 明: 在金刚石 晶粒长大过程 中 , ( 11 ) 面 方 向长大时产生密 度 很高的微孪晶缺陷 . 而 ( 1田) 面方 向长大时产生 的晶体缺 陷较少 . 关扭词 金 刚石 , 薄膜 , 显微结构 / M P C V D 中圈分类号 0 6 13 . 7 1: 0 76 M i cor s tur ct uer o f D i a mo nd T h i n F il nsr b y M icr o wa ve P l a s nar C V D + uY a n iY aY n g B ao x i on g aB i uY a n q ia ” 9 Wa ” 9 J ia nj u 儿 uL aF n x i 双 D e P a rt m e n t o f M a rt e r i a l s S c i e n ce a n d E n g i n e e r i n g , U S T B , B e i j i n g 10 0 0 8 3 , P R C A BS T R A C T hT e orn rp h o l o g y a n d t h e 而cor s trU ct 峨 o f s议 d流m t d i a n o n d if 』11” d e Po s i喇 b y 而的aw ve Pl as am C VD h a v e b en s t u d ide b y SE M a n d 花M . hT e o bs ver a it o ns o f a n d a fe w O f K E Y W O R I:巧 in d ica te t h a t h ig h d en d ty 而cor t wms a re of r ll l de d un g ht e (川 ) Pal n es g or wt h c ry s atl d e俗允 a re of n n 曰 d ~ 9 ht e (l 0 ) p恤n 巴 g or wt h . d in om n d , ht in if l n ℃ , 而’cIo s trU ct uer / M P C V D 气相沉积金 刚石薄膜 的表面形 貌和 晶粒 的取 向与沉 积条件 紧密 相 关 . R a vi 等人 川 认 为 金 刚石 晶体形貌随着 生长气 氛 中 C / H 比的增 加 由 “ 八 面体~ 十 四 面体~ 正 方 体~ 微 晶~ 无 序相 ” 变 化 . K o b as ih 等 人 [ ’ , ’ 〕用 M P C VD 方法 生 长 金 刚 石 薄 膜 , 在 is 衬 底 温 度 8 0 ℃ , 当 CH 4 浓度小于 .0 4 % 时 , (l 1 1) 刻 面 占优势 , 当 C H ; 浓 度在 .0 4 % 一 1 . 2 % 时 , ( 10 0) 刻 面 占优势; 当 C H 。 浓度 高 于 1 . 4 % 时 生 成 微 晶 . H a u b ne r 等 人 〔 4 ] 在 微 波 C v D 实 验 中 , 在 6以) ℃ 、 C H 4 浓度为.0 3% 时 , (l 0 0) 刻 面 占优势; 在 7 50 ℃ 以 上 ( 1 1 1) 刻面开 始 占优势 . 我们利用微 波等 离 子 体 C V D 技 术 在 2 80 ~ 8 50 ℃ , 于 is 衬底 上 获 得 了 多 晶 金 刚 石 薄 膜 . 本文用 S E M 和 ET M 对 6 种不 同沉 积条件下 的金 刚石 薄膜 的表 面 形貌和 显 微 结构特 征 进行了观 察和分析 . 1卯3 一 or 一 08 收稿 第一 作者 女 53 岁 副教授 + 高技术新材料专家委负会资助项 目 DOI: 10. 13374 /j . issn1001 -053x. 1994. 03. 010

.246 北京科技大学学报 1994年No.3 1实验方法 实验样品是用微波等离子体CVD方法11制备的金刚石薄膜，其沉积工艺参数见表1. 衬底是(100)取向的单晶硅片， 表1金刚石薄膜样品沉积工艺参数 Table 1 Deposition parameters for diamond film samples 试样号 气体组成/% Tw/℃ t m/h CH, 02 H, D 280 87 4.3 87.0 48 D, 380 5.0 2.0 93.0 65 D 425 5.0 0 95.0 24 D 720 2.0 1.0 97.0 24 D 725 0.5 0 99.5 24 D 840 2.0 0.5 97.5 24 用扫描电镜观察其表面形貌，用透射电子显微术进行了组织结构分析，透射薄膜样品 的制备方法如下：将已沉积好的金刚石薄膜带与硅衬底一起切成约3mm㎡×3mm小块，而后将 其浸人氢氟酸和硝酸混合溶液中没泡，待硅衬底溶掉后将金刚石薄膜捞出清洗干净，随即 粘在Φ3mm的单孔网上，然后进行离子减薄，透射电镜的观察是在H-800电镜200kV下 进行的， 2实验结果及讨论 2.1氧对金刚石薄膜表面形貌和晶粒形态的影响 扫描电镜观察表明：当气源中不加氧时，在425℃和725℃沉积的金刚石薄膜均呈聚 晶团形态，425℃时晶团为球形，725℃时聚晶团呈现不规则的多面体形态（见图1a、 1b)；当有氧气加入气源后，金刚石晶体的生长发育明显变好，金刚石晶粒的晶形非常清晰 (见图1c,1d),即使在温度较低的380℃沉积的薄膜中也可见到非常规则的金刚石晶 粒，在温度较高的720℃沉积的金刚石薄膜中晶粒更加完整，立方八面体的金刚石晶粒清 晰可见，立方八面体是由6个(100)面和8个(111)面组成的.从图1d还可以看出在720℃ 沉积的薄膜中其晶粒取向并不一致，扫描电镜观察还表明在280℃低温下沉积的金刚石薄 膜为微晶（见图2），晶粒尺寸为0.1~0.2m.在这样低的沉积温度下，由于有氧加人气 源，金刚石晶粒的晶形仍十分清晰，如果没有足够数量的氧加人是不可能沉积金刚石薄膜的[6. 2.2金刚石立方八面体生长的结构特征 图3为D,在720℃、2%CH、1%O2沉积24h金刚石薄膜的透射电镜照片和电子衍射 照片.图3a中的晶粒是一个[110]取向的晶粒，晶粒中显示有4个衬度不同的区域.在2个村 度较深的对顶部分有相同的电子衍射花样（见图3弘），表明在这两个区域中均有密度很高的

2 4 6 北 京 科 技 大 学 学 报 1更辫 年 N b . 3 1 实验方法 实验 样 品是 用 微 波等 离 子 体 C V D 方 法 15[ 制 备的 金 刚 石薄膜 . 其沉 积 工 艺 参 数见 表 L 衬底是 ( 10 )0 取 向 的单晶硅 片 . 裹 1 金刚石薄腆样品沉积工 艺参数 aT 缺 I n 甲目山 Ix 脾田娜 . 比门 fro 山明峨团 五匕, 助拌. 试样号 T 衬 /℃ 气体组成 / % C H 4 0 2 H Z 艺沉 / h 87 48652 . 0 93 . 0 95 . 0 97 . 0 卯 . 5 97 . 5 .4320 0 几乌巩.o4D 4257083254 ..052.8750 .1005 用 扫描 电镜观 察其 表 面形貌 , 用透射 电子 显微 术 进 行 了组 织 结 构 分 析 . 透 射薄 膜 样 品 的制备方 法 如下 : 将已 沉积 好 的金 刚石薄膜带与硅衬底一起切成约 3 ~ X 3 n 甘n 小块 , 而后将 其 浸人氢 氟酸和硝 酸混 合溶 液 中浸泡 , 待硅 衬底 溶 掉 后 将金 刚石 薄 膜 捞 出 清洗 干净 , 随 即 粘 在中 3 ~ 的单 孔 网上 , 然 后 进 行离 子减 薄 . 透 射电镜 的观 察 是 在 H 一 8 0 电镜 2 0 k V 下 进 行 的 . 实验 结果及 讨论 饭对金 刚石薄腆表 面形 貌和 晶粒形 态的影响 扫描 电镜观 察表 明: 当气源 中不加 氧 时 , 在 4 25 ℃ 和 7 25 ℃ 沉 积 的金 刚 石 薄膜 均 呈 聚 晶 团形 态 , 4 25 ℃ 时 晶 团 为 球 形 . 7 25 ℃ 时 聚晶 团 呈 现 不规 则 的 多 面 体 形 态 (见 图 l a 、 lb ) ; 当有 氧气加 人气 源后 , 金 刚石 晶体的生长发 育明显 变好 , 金刚石 晶 粒 的 晶 形非 常清晰 ( 见 图 I c 、 ld) , 即使在 温 度 较 低 的 3 80 ℃ 沉 积 的薄 膜 中也 可 见 到 非 常 规 则 的金 刚 石 晶 粒 , 在温 度较 高的 7 20 ℃ 沉积 的金 刚石 薄膜 中晶 粒 更加 完 整 , 立 方八 面 体 的金 刚石 晶 粒 清 晰可 见 . 立方八面体是 由 6 个 ( 10 0) 面和 8 个 ( 1 1 1) 面 组成 的 . 从 图 dl 还 可 以 看 出在 7 20 ℃ 沉积 的薄 膜 中其 晶粒 取 向并不 一致 . 扫描 电镜观 察 还 表 明在 2 80 ℃ 低 温下 沉 积 的金 刚石 薄 膜为 微晶 (见 图 2) , 晶粒 尺寸 为 0 . 1 一 .0 2 召m . 在这 样 低 的 沉积 温 度 下 , 由于 有 氧加 人 气 源 , 金刚石晶粒 的 晶形 仍十分 清晰 , 如果没有足够数量 的氧加人 是不 可能沉 积金 刚石薄膜 的【6 〕 . 2 . 2 金刚石立方八面 体生 长的 结构特征 图 3 为 D ; 在 7 20 ℃ 、 2 % C H 4 、 1% 0 2 沉 积 24 h 金 刚 石 薄 膜 的透 射 电镜 照 片 和 电 子 衍 射 照 片 . 图 a3 中的晶粒 是一 个 【1 10] 取 向的晶粒 , 晶粒中显示有 4 个衬度不 同的区域 . 在 2 个衬 度较 深 的对顶部 分有 相 同 的电子衍 射花 样 (见 图 3 b) , 表 明在 这两个 区域 中均有 密 度很 高 的

2 4 6 北 京 科 技 大 学 学 报 1更辫 年 N b . 3 1 实验方法 实验 样 品是 用 微 波等 离 子 体 C V D 方 法 51[ 制 备的 金 刚 石薄膜 . 其沉 积 工 艺 参 数见 表 L 衬底是 ( 10 0) 取 向 的单晶硅 片 . 裹 1 金刚石薄腆样品沉积工 艺参数 aT 缺 I n 甲目山xI 脾田娜 . 比门 for 山明峨团 五匕, 助拌. 试样号 T 衬 /℃ 气体组成 / % C H 4 0 2 H Z 艺沉 / h 87 48652 . 0 93 . 0 95 . 0 97 . 0 卯 . 5 97 . 5 .4320 0 几乌巩.o4D 4257083254 ..052.8750 .1005 用 扫描 电镜观 察其 表 面形貌 , 用透射 电子 显微 术 进 行 了组 织 结 构 分 析 . 透 射薄 膜 样 品 的制备方 法 如下 : 将已 沉积 好 的金 刚石薄膜带与硅衬底一起切成约 3 ~ X 3 n 甘n 小块 , 而后将 其 浸人氢 氟酸和硝 酸混 合溶 液 中浸泡 , 待硅 衬底 溶 掉 后 将金 刚石 薄 膜 捞 出 清洗 干净 , 随 即 粘 在中 3 ~ 的单 孔 网上 , 然 后 进 行离 子减 薄 . 透 射电镜 的观 察 是 在 H 一 8 0 电镜 2 0 k V 下 进 行 的 . 实验 结果及 讨论 饭对金 刚石薄腆表 面形 貌和 晶粒形 态的影响 扫描 电镜观 察表 明: 当气源 中不加 氧 时 , 在 4 25 ℃ 和 7 25 ℃ 沉 积 的金 刚 石 薄膜 均 呈 聚 晶 团形 态 , 4 25 ℃ 时 晶 团 为 球 形 . 7 25 ℃ 时 聚晶 团 呈 现 不规 则 的 多 面 体 形 态 (见 图 l a 、 lb ) ; 当有 氧气加 人气 源后 , 金 刚石 晶体的生长发 育明显 变好 , 金刚石 晶 粒 的 晶 形非 常清晰 ( 见 图 I c 、 ld) , 即使在 温 度 较 低 的 3 80 ℃ 沉 积 的薄 膜 中也 可 见 到 非 常 规 则 的金 刚 石 晶 粒 , 在温 度较 高的 7 20 ℃ 沉积 的金 刚石 薄膜 中晶 粒 更加 完 整 , 立 方八 面 体 的金 刚石 晶 粒 清 晰可 见 . 立方八面体是 由 6 个 ( 10 0) 面和 8 个 ( 1 1 1) 面 组成 的 . 从 图 dl 还 可 以 看 出在 7 20 ℃ 沉积 的薄 膜 中其 晶粒 取 向并不 一致 . 扫描 电镜观 察 还 表 明在 2 80 ℃ 低 温下 沉 积 的金 刚石 薄 膜为 微晶 (见 图 2) , 晶粒 尺寸 为 0 . 1 一 .0 2 召m . 在这 样 低 的 沉积 温 度 下 , 由于 有 氧加 人 气 源 , 金刚石晶粒 的 晶形 仍十分 清晰 , 如果没有足够数量 的氧加人 是不 可能沉 积金 刚石薄膜 的【6 〕 . 2 . 2 金刚石立方八面 体生 长的 结构特征 图 3 为 D ; 在 7 20 ℃ 、 2 % C H 4 、 1% 0 2 沉 积 24 h 金 刚 石 薄 膜 的透 射 电镜 照 片 和 电 子 衍 射 照 片 . 图 a3 中的晶粒 是一 个 【1 10] 取 向的晶粒 , 晶粒中显示有 4 个衬度不 同的区域 . 在 2 个衬 度较 深 的对顶部 分有 相 同 的电子衍 射花 样 (见 图 3 b) , 表 明在 这两个 区域 中均有 密 度很 高 的

2 4 6 北 京 科 技 大 学 学 报 1更辫 年 N b . 3 1 实验方法 实验 样 品是 用 微 波等 离 子 体 C V D 方 法 51[ 制 备的 金 刚 石薄膜 . 其沉 积 工 艺 参 数见 表 L 衬底是 ( 10 0) 取 向 的单晶硅 片 . 裹 1 金刚石薄腆样品沉积工 艺参数 aT 缺 I n 甲目山xI 脾田娜 . 比门 for 山明峨团 五匕, 助拌. 试样号 T 衬 /℃ 气体组成 / % C H 4 0 2 H Z 艺沉 / h 87 48652 . 0 93 . 0 95 . 0 97 . 0 卯 . 5 97 . 5 .4320 0 几乌巩.o4D 4257083254 ..052.8750 .1005 用 扫描 电镜观 察其 表 面形貌 , 用透射 电子 显微 术 进 行 了组 织 结 构 分 析 . 透 射薄 膜 样 品 的制备方 法 如下 : 将已 沉积 好 的金 刚石薄膜带与硅衬底一起切成约 3 ~ X 3 n 甘n 小块 , 而后将 其 浸人氢 氟酸和硝 酸混 合溶 液 中浸泡 , 待硅 衬底 溶 掉 后 将金 刚石 薄 膜 捞 出 清洗 干净 , 随 即 粘 在中 3 ~ 的单 孔 网上 , 然 后 进 行离 子减 薄 . 透 射电镜 的观 察 是 在 H 一 8 0 电镜 2 0 k V 下 进 行 的 . 实验 结果及 讨论 饭对金 刚石薄腆表 面形 貌和 晶粒形 态的影响 扫描 电镜观 察表 明: 当气源 中不加 氧 时 , 在 4 25 ℃ 和 7 25 ℃ 沉 积 的金 刚 石 薄膜 均 呈 聚 晶 团形 态 , 4 25 ℃ 时 晶 团 为 球 形 . 7 25 ℃ 时 聚晶 团 呈 现 不规 则 的 多 面 体 形 态 (见 图 l a 、 lb ) ; 当有 氧气加 人气 源后 , 金 刚石 晶体的生长发 育明显 变好 , 金刚石 晶 粒 的 晶 形非 常清晰 ( 见 图 I c 、 ld) , 即使在 温 度 较 低 的 3 80 ℃ 沉 积 的薄 膜 中也 可 见 到 非 常 规 则 的金 刚 石 晶 粒 , 在温 度较 高的 7 20 ℃ 沉积 的金 刚石 薄膜 中晶 粒 更加 完 整 , 立 方八 面 体 的金 刚石 晶 粒 清 晰可 见 . 立方八面体是 由 6 个 ( 10 0) 面和 8 个 ( 1 1 1) 面 组成 的 . 从 图 dl 还 可 以 看 出在 7 20 ℃ 沉积 的薄 膜 中其 晶粒 取 向并不 一致 . 扫描 电镜观 察 还 表 明在 2 80 ℃ 低 温下 沉 积 的金 刚石 薄 膜为 微晶 (见 图 2) , 晶粒 尺寸 为 0 . 1 一 .0 2 召m . 在这 样 低 的 沉积 温 度 下 , 由于 有 氧加 人 气 源 , 金刚石晶粒 的 晶形 仍十分 清晰 , 如果没有足够数量 的氧加人 是不 可能沉 积金 刚石薄膜 的【6 〕 . 2 . 2 金刚石立方八面 体生 长的 结构特征 图 3 为 D ; 在 7 20 ℃ 、 2 % C H 4 、 1% 0 2 沉 积 24 h 金 刚 石 薄 膜 的透 射 电镜 照 片 和 电 子 衍 射 照 片 . 图 a3 中的晶粒 是一 个 【1 10] 取 向的晶粒 , 晶粒中显示有 4 个衬度不 同的区域 . 在 2 个衬 度较 深 的对顶部 分有 相 同 的电子衍 射花 样 (见 图 3 b) , 表 明在 这两个 区域 中均有 密 度很 高 的

Vol.16 No.3 袁逸等：微波等离子体CVD金刚石薄膜的显微结构 249· (见图5d),这种择优生长的金刚石晶粒在长大过程中，(100)面方向生长发育较好，晶体缺 陷较少，而晶粒四周是以(111)面长大为主，但在面长大过程中通常会产生很多李晶，如 果进一步控制沉积条件，以获得较适中的形核率，并抑制晶粒四周(111)面的长大，将 会获得更好的(100)择优生长的金刚石薄膜， 3结论 (1)在金刚石薄膜低温沉积中氧起着很强的刻蚀非金刚石相、改善金刚石晶粒形貌的 作用。 (2)金刚石晶粒长大过程中(100)面方向长大时产生的缺陷较少，而(111)面方向 长大时产生密度很高的微孪晶缺陷· 参考文献 I Ravt K V,et al.The Nucleation and Morphology of Diamond Crystals and Films Syntheszed by the combustion Films Technique.J Mater Res,1990,5(11):2356 2 Kobashi K,Nishimura K,Kawate Y,Horiuchi T.Synthesis of Diamonds by Use of Microwave Plasma Chicakalapvapdepbuiponitiooboiglogsdadw dinfnnddilhsFis.R88B3867067 3 Kobashi K,Nishimura K,Miyata K,Kumagai K,Nakaue A.(110)-Oriented Diamond films Synthesized by Microwave Chemical-Vapor Deposition.J Mater Res,1990,5 (11):2469 4 Haubner R,Lux B.Inflbence of Inhomogeneous Microwave Plasma on Diamond Morphology.Intt J. RRfifrett.Hamid Mater,1987,6:210 5昌反修，杨保雄，蒋高松.MPCVD低温沉积金刚石薄膜及其特征，北京科技大学学报，1992,14(2)：168 6杨保雄，蒋高松，吕反修.氧在微波等离子体辅助CVD低温沉积金刚石薄膜中的作用.薄膜科学与 技术，1992,5(3)：24 7 Angus JC.et al.Twinning and Faceting in Early Stages of Diamond Growth by Chemical Vapor Deposition. J Mater Res,1992,7(11):3001

V o l . 16 N o . 3 袁逸等: 微波等离子 体 C V D 金 刚石薄膜的显微结构 (见 图 sd) . 这 种 择优 生长 的金 刚 石晶粒在 长大过程 中 , ( 10 0) 面方 向生 长 发 育较好 , 晶体缺 陷较 少 , 而 晶粒 四周 是 以 ( 11 1) 面长大为 主 , 但在 面 长大 过 程 中通 常 会产 生很 多孪 晶 . 如 果 进 一 步 控 制 沉 积 条 件 , 以 获 得 较 适 中 的 形 核 率 , 并 抑 制 晶 粒 四 周 ( 1 1 1) 面的长大 , 将 会获 得更 好 的 ( 10 ) 择优生 长的金 刚石薄膜 . 3 结 论 ( l ) 在金 刚石薄 膜低温 沉积 中氧起着 很强 的刻蚀 非 金 刚 石相 、 改 善金 刚石 晶 粒 形 貌 的 作用 . ( 2) 金 刚石 晶粒 长大过 程 中 ( 100) 面方 向长 大 时产 生 的缺 陷 较少 , 而 ( 1 1 1) 面方 向 长大 时产生 密度很 高 的微孪 晶缺 陷 . 参 考 文 献 R a Vt K V , et ia . , 11祀 N 切cl ae ito n a l ld C 哪扭七 a n d F il l 签 S ynt hes 左对 by hte 印几山璐ito n 2 K o 加s hi K , M o 印 bo lo gy of D 血m o dn R已 , l男〕 , 5 ( 11) : F i】 2356 n 拐 予戈腼q 二 . J M a te r R 已 , l男〕 , 5 ( 11) : 2356 iNs ih m uJ 甩 K , K滋认么 et y , H o ir uC hi T . S yn th 路 15 o f D i a n 1O nds b y U se o f M i cor 似ve 几as 刀 l a 曰颐画h 坛户勿冈帅。 币画石 ~ 丫址归留吧州比摊. 物城泊由由面凌已洲仙此「珊争 . 州与` . , R 洲毋i孤邓 B 鱿芡滚拓7 3 K o 加 s ih K , N is hi m 切ar K , M l声 at K , K 让汀以即I K , Na ka ue A . ( n o) 一 O 丙e l l edt D ~ nd 川n 艺 S yn th 留i左月 by M lcor 叭召 v e o 公mj 喇 一 Va po r 块户英 iot n . J M a etr R巴 , 19叭〕 , 5 ( H ) : 246 9 4 H a u bn e r R , L xu B . l nf] 玩泊 ce of il 山o om 罗 n co us M i cID 姆ve P】as aln o n D ~ dn M O印ob ol gy . nI t LJ R日月如以 . 任如泪 M a ter , 1987 , 6 : 2 10 5 吕反修 , 杨保雄 , 蒋高松 . M P C v D 低温 沉积金 刚石薄膜及 其特征 . 北京科 技 大学 学报 , l卯2 , 14 (2) :l 68 6 杨保雄 , 蒋高松 , 吕反 修 . 氧在微 波等离子 体辅助 C VD 低 温 沉积 金 刚石薄 膜 中的 作用 . 薄 膜科 学 与 技术 , 1卯2 , 5( 3) : 24 7 人ng 比 J C , et al . T 俪n n i n g a n d F a eC ti n g in E ar ly S t a笋 of D i a n 1 0 dn G or wt h by ( 》 er 川ca 1 Va op r eD P o s iit o n . J M a ter R巴 , l卯2 , 7 ( 1 1) : 3田 l