1 中断概念及处理过程 2 8086的中断系统 3 可编程中断控制器8259A及其应用 4 总结 §8.1概念及处理过程 1、中断概念 2、中断源 3、中断处理过程 （1）中断请求 （2）中断判优 （3）中断响应 （4）中断服务 ①②③④⑤ （5）中断返回 §8.2 8086中断系统 1、中断源与中断类型号 2、中断向量表 3、中断响应过程 4、中断时序 §8.3 中断控制器Intel8259A 1、性能 2、结构和工作原理 3、外部引脚和工作过程 4、工作方式 （1）中断优先权管理方式①②③④ （2）中断源屏蔽方式①② （3）结束中断方式①②③④ （4）与系统总线的连接方式①② （5）引入中断请求的方式①②③ 5、8259A的编程 （1）端口地址 （2）初始化编程ICW1-ICW4 （3）操作编程OCW1-OCW3 6、级联

以GaN和(Ga1-xInx)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH3和PH3热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响.根据外延生长过程中NH3和PH3实际分解状况,建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型,进而应用Thermo-calc软件计算出与之对应的成分空间.计算结果与实验数据的对比表明:GaN和(Ga1-xInx)P半导体的MOVPE过程的热力学分析必须根据V族气源物质NH3和PH3的实际热分解状况,进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测,完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程

2-1(a), 2-2(b), 2-3(c), 2-6(c) 3-1,3-2(a), 3-3(b), 3-4(c), 3-5(d), 3-9(a) 请用VHDL语言描述与或非门和异或门

第三章平面一般力系 3-1力线平移定理 3-2平面一般力系向一点简化 3-3平面一般力系的简化结果·合力矩定理 3-4平面一般力系的平衡条件和平衡方程 3-5平面平行力系的平衡方程 3-6静定与静不定问题的概念物体系统的平衡 3-7平面简单桁架的内力分析 平面一般力系习题课

Tema 4. IIpon3BOACTBO oKOHOMNeckix onar 1. Npon3bonctBo onnH nepemeHHbIM paktopoM. 3aKoH y6blBarowen npenenbHon npon3BoAuTenbHOCTW 2. Bblbop npon3BoActBeHHow TexHonoryn. Texhyyeckag 3 3KOHOMM4eckag3 eKTBHOCTb

对萤石矿物进行掺杂灼烧.制备了一种新型矿物发光材料萤石:Eu3+.根据Eu3+的荧光光谱与局域对称性的关系,结合空间群中等效点系的对称性分析,可以推断该体系中主要存在2类发光中心,其格位对称性分别为C4V,和C3V.Eu3+离子进入CaF2晶格,与Ca2+离子不等价置换,由于电荷补偿,Eu3+周围常常存在间隙Fi-的缺陷机制,间隙的存在,降低了局域对称性(由Oh降低为C4V。或C3V),打破了宇称选择定则,促进了Eu3+离子的发光

概率论第4章习题参考解答 1.若每次射击中靶的概率为0.7,求射击10炮,命中3炮的概率,至少命中3炮的概 率,最可能命中几炮 解:设为射击10炮命中的炮数,则B(100.7),命中3炮的概率为 PE=3}=C0.730.37=0.0090 至少命中3炮的概率,为1减去命中不到3炮的概率,为 P≥3}=1-P(5<3}=1-0.70.310-0.998 因np+p=10×0.7+0.7=7.7不是整数,因此最可能命中[77=7

借鉴流体黏性的表征方式,引入粉体颗粒表观黏度的概念表征粉体颗粒间的相互作用力,基于能量耗散原理,利用旋转黏度计测定了含SiO2纳米添加剂的Fe2O3颗粒在不同温度条件下的表观黏度.实验结果表明,Fe2O3颗粒表观黏度随温度升高而增大,纳米SiO2的加入使颗粒表观黏度明显降低,主要原因是纳米SiO2对Fe2O3颗粒形成了包覆,抑制了颗粒间的团聚和烧结.此外,本研究利用微型流化床研究了含纳米SiO2的Fe2O3颗粒在流化还原过程中发生黏结失流的过程,进一步验证了纳米SiO2对Fe2O3颗粒表观黏度的影响.结果表明,加入纳米SiO2显著提高了还原样品的金属化率,延长了还原过程中的黏结时间;扫描电镜分析表明纳米SiO2有效包覆在Fe2O3颗粒表面,降低了铁原子的扩散活性,并充分阻隔新鲜铁之间的接触,抑制新鲜铁的烧结,从而导致Fe2O3颗粒之间难以形成黏结点,由此证明纳米SiO2对流化床内Fe2O3颗粒的还原过程中的黏结失流具有明显抑制作用

(1)、输入端悬空,Vcc经R1、T1的C结向T2、T3提供基流 T2、T3饱和导通,而T4、D截止,Vo=Vcs3=VL (2)、输入端接>2V电源,设对应的T1e结导通,则V>2.7V ∴-T2、T3饱和导通-Vo=VoL (3)、输入端接同类与非门输出高电平+3.6V——+Vcc经R T1的C结向T2、T3提供基流--T2、T3饱和导通 (4)、输入端接10K电阻到地,若设对应的e结导通,则 输入端相当于接+3V高电平

1.画出 BF3、BF4－、[AlF6]3－、(AlCl3)2 的几何构型，中心原子杂化类型各是什么？ 2.为什么 Al2S3 和 Al2(CO3)3 不能用湿法制得？利用有关反应式加以说明。如何制备无水的 AlCl3？