第一章半导体二极管 本章要求: 一、理解PN结的单向导电性 二、了解二极管、稳压管工 三、会分析含有二极管的电路

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第3章场效应管 概述 31MOs场效应管 3.2结型场效应管 33场效管应用原理

第一章：管理与管理学 第二章 管理理论的形成和发展 第三章 计 划 第四章 目 标 管 理 第五章 预测 第六章 决 策 第七章 组织概述 第八章 组 织 结 构 第九章 人员配备 第十章 领 导 第十一章 激 励 第十一章 控制的基础理论

第一章管理活动与管理理论 1.1管理活动 1.1.1管理的定义 历史状况

第9章建设工程合同管理 9.1建设工程合同管理概述 9.2合同管理 9.3 FIDIC条件下施工合同管理 9.4案例分析

处理器管理是操作系统的重要组成部分,它负责管理、调度和分派计 算机系统的重要资源处理器,并控制程序的执行。由于处理器管理是操作系统中最内核的组成部分,任何程序的执行都必须真正占有处理 器,因此处理器管理直接影响系统的性能

临界区管理 1.互斥与临界区 2.实现临界区管理的几种尝试 3.实现临界区管理的软件方法 4.实现临界区管理的硬件设施

利用实验及CFD模拟软件分别研究非空调工况下以及空调工况的送氧口个数、送氧口管径、送氧流量及送氧方式、不同的气流组织形式(同侧上送下回、异侧上送下回)等发生变化对密闭建筑缺氧房间的富氧特性及富氧效果的影响. 结果表明: 非空调工况下, 送氧口个数、送氧口管径、送氧流量及送氧方式不同, 所形成的富氧区域差别较大, 宜采用管径为6 mm的相背45°的双送氧口进行送氧, 所形成的富氧面积为最大; 空调工况下, 送氧口个数、送氧口管径、送氧流量及气流组织形式不同, 所形成的富氧区域形状大体相似, 均为\椭圆\形状, 宜采用送氧口管径为6 mm的单送氧口且异侧上送下回的气流组织形式; 空调工况下, 送氧流量相同时, 送风风速为0.85 m·s-1所形成的富氧面积比送风风速为1 m·s-1所形成的富氧面积大约20%;当送风风速均为0.85 m·s-1, 送氧流量为1.5 m3·h-1所形成的富氧面积约为0.96 m2, 该富氧面积与单人次活动范围面积相当, 适宜作为空调工况下缺氧房间单人次的富氧基础供氧量. 模拟结果可为缺氧空调房间供氧装置的选择、布置、降低新风量、降低空调能耗等方面提供参考

管程 一、管程的基本概念 二、管程的汉森方法 三、管程的霍尔方法