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《半导体物理习题》第六章 金属和半导体接触
文档格式:DOC 文档大小:61KB 文档页数:3
例1.设p型硅(如图7-2),受主浓度N4=10ycm3,试求: (1)室温下费米能级F的位置和功函数 (2)不计表面态的影响,该p型硅分别与铂和银接触后是否形成阻挡层?
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《半导体物理习题》第四章 半导体的导电性
文档格式:DOC 文档大小:53KB 文档页数:2
例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化
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《半导体物理习题》第三章 半导体中的载流子统计分布
文档格式:DOC 文档大小:71.5KB 文档页数:3
例1.有一硅样品,施主浓度为D=2,受主浓度为=10cm,已知 施主电离能△ED=E-E=0.05eV,试求99%的施主杂质电离时的温度。 思路与解:令N和NA表示电离施主和电离受主的浓度,则电中性方程为:
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《半导体物理习题》第一章 半导体中的电子状态
文档格式:DOC 文档大小:55.5KB 文档页数:3
例1.证明对于能带中的电子,K状态和K状态的电子速度大小相等,方向相反。即: v(k)=-v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零 思路与解:K状态电子的速度为 v(k)= 同理,一K状态电子的速度则为
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北京大学:《半导体物理学 Physics of Semiconductors》课程教学资源(教案讲稿)第五章 半导体的PN结
文档格式:PDF 文档大小:1.02MB 文档页数:81
§ 5.1 平衡PN结 PN结的形成和平衡能带图及自建势 空间电荷区和耗尽近似 泊松方程和电势、电场分布 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 偏置PN结能带图和准费米能级 偏置PN结的载流子分布和电流输运 偏置PN结的瞬态特性 § 5.3 PN结电容 耗尽电容 扩散电容 § 5.4 PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳击穿
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电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四章 半导体中的载流子在电磁场中的运动
文档格式:PPTX 文档大小:1.07MB 文档页数:84
一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应
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《化学物理学报》:半导体光催化研究进展与展望
文档格式:PDF 文档大小:322.89KB 文档页数:11
评述了目前半导体光催化在国内外的研究概况,并对存在的问题和未来的发展动向进行简要分析.列举了近30年来关于光催化研究的部分成果,内容涉及光催化剂的制备(包括新催化剂的开发,TiO2、ZnO、CdS等光催化剂的各种改性或修饰)、光催化作用机理研究、光催化技术的工程化、光催化技术的各种应用研究和产品开发等等从基础到应用研究的各个方面
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电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二章 半导体中的杂质和缺陷
文档格式:PPTX 文档大小:459.31KB 文档页数:37
一、根据杂质能级在禁带中的位置,将杂质分为: 二、浅能级杂质→能级接近导带底 Ec 或价带顶 Ev; 三、深能级杂质→能级远离导带底 Ec 或价带顶 Ev
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电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一章 半导体中的电子状态
文档格式:DOC 文档大小:216KB 文档页数:8
例 1. 证明:对于能带中的电子,K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即:v(k)= -v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零
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科学出版社:《半导体材料》课程教学资源(PPT课件)第八章 异质结
文档格式:PPT 文档大小:298.5KB 文档页数:12
pn结是在同一块半导体中用掺杂的办法做成 两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边 是用同一种材料做成的,也称为“同质结”
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