3.1 概述 3.1.1 可编程逻辑器件的发展历程 3.1.2 可编程逻辑器件的分类 3.2 简单PLD原理

1、硫化矿冶金的基本工艺与基本反应； 2、焙烧反应，主要是氧化焙烧和硫酸化焙烧的影响因素及气氛控制； 3、 Me-S-O系区位图的绘制及其应用； 4、造锍熔炼的基本反应，其选择性及其控制； 5、锍的吹炼反应及其控制；

一、基本要求: 1、理解标准电极电位与条件电极电位 2、掌握影响氧化还原反应方向的因素 3、会计算氧化还原滴定的突跃范围 4、掌握KMnO4法、K2Cr2O法、碘量法的特点、有关反应式,掌握COD、DO的测定原理及计算

学习要点： •触发器的工作原理及逻辑功能 •寄存器、计数器的工作原理及构成 •555定时器的工作原理及其应用 •数模/模数转换器的组成和工作原理 11.1 双稳态触发器 11.2 寄存器 11.3 计数器 11.4 555定时器 11.6 数模和模数转换

一、原电池与电极电位 二、吉布斯自由能与电动势的关系 三、电解 四、金属的腐蚀与防护

第一节 硝基化合物 (一) 硝基烷 (1) 硝基烷的制法 (2) 硝基烷的性质 (二) 芳香族硝基化合物 (1) 芳香族硝基化合物的制法 (2) 芳香族硝基化合物的物理性质 (3) 芳香族硝基化合物的化学性质 (甲) 还原 (乙) 芳环上的亲电取代反应(“三化”) (丙) 硝基对其邻、对位取代基的影响 第二节 胺 (一) 胺的分类和命名 (二) 胺的结构 (三) 胺的制法 (四) 胺的物理性质 (五) 胺的化学性质 (六) 季铵盐和季铵碱 (七) 二元胺 第三节 重氮与偶氮化合物 (一) 重氮盐的制备——重氮化反应 (二) 重氮盐的反应及其在合成中的应用 (1) 失去氮的反应 (甲) 重氮基被氢原子取代 (乙) 重氮基被羟基取代 (丙) 重氮基被卤素取代 (丁) 重氮基被氰基取代 (2) 保留氮的反应 (甲) 还原反应 (乙) 偶合反应

一、原电池与电极电位 二、吉布斯自由能与电动势的关系 三、电解 四、金属的腐蚀与防护

4.2.4 CD_ROM驱动器工作原理 1. CD_ROM 光驱的基本结构 2. 激光头与光调制解调原理 3. 伺服控制 4.3 CD_I交互式光盘系统 4.3.1 CD_I光盘的数据格式 4.3.2 CD_I系统结构 1. CD_I系统组成原理 2. CD_I音频处理子系统 3. CD_I视频处理子系统 4. CD_RTOS结构与功能

一、引言 二、单轴应力测定原理 三、面应力测定原理 四、试验方法 五、试验精度的保证及测试原理的适用条件

1. 结合能理论 2. 化学位移 3. 终态效应 4. 结合能的参考基准