5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1、各种流量计的优缺点 2、流量计的选用原则 3、流量计的选用步骤 4、典型流量流体的流量测量

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

1、电磁流量计的特点 2、电磁流量计的原理 3、电磁流量计的结构 4、电磁流量计的选用 5、电磁流量计安装 6、电磁流量计安装注意事项

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

■ 10.1光纤中的非线性转换效率 ■ 10.2光纤中的克尔效应 ■ 10.3光纤中的自位相调制和方波自成形 ■ 10.4光脉冲在光纤中的压缩 ■ 10.5非线性薛定锷方程 ■ 10.6孤子激光器 ■ 10.7受激散射非线性效应

10.1 平板X射线成像的物理过程 10.2 平板X射线成像器件的主要技术指标 10.3 有源平板x射线成像器件的像素结构与工作原理 10.4 平板X射线成像系统架构 10.5 平板X射线成像器件的应用

一、井径仪校验 二、井斜仪校验 三、感应测井仪实验 四、声波测井仪原理试验 五、双侧向测井仪实验 六、放射性测井仪实验

7.1 平板显示器的构成与性能参数 7.2 液晶的电光响应特性 7.3 TFT-LCD像素架构 7.4 TFT-LCD的像素级驱动原理 7.5 TFT-LCD的驱动系统 7.6 α-Si:H TFT背板制造技术 7.7 LTPS TFT-LCD中的集成技术 7.8 低功耗TFT LCD 7.9 LTPS TFT 背板制造工艺技术

通信与信息工程系 综合、设计性实验指导书 课程名称:可编程ASIC原理 实验项目名称:数字钟设计 一、实验目的与要求: (1)、使用VHDL语言或 Verilog语言设计数字钟。 (2)、正确选择实验箱的工作模式。 (3)、正确配置FPGA的引脚。 (4)、实验前预习数字钟原理