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《电子与电工技术》1 《材料力学》6 《专业英语》11 《材料科学基础》16 《无机及分析化学》27 《有机化学》37 《物理化学》46 《材料现代分析方法》55 《无机材料热工基础》64 《无机材料物理化学》73 《无机材料结构与性能》81 《陶瓷工艺原理》86 《特种陶瓷》94 《高分子物理》100 《高分子化学》112 《高分子材料成型加工基础》119 《高分子合成工艺学》126 《高分子材料》133 《金属材料及热处理》142 《材料成型工艺基础》147 《有色金属材料》153 《材料性能学》156 《金属腐蚀与防护》167 《机械设计基础》174 《工程伦理学》179 《科技论文写作》190 《材料物理》194 《纳米材料与纳米结构》201 《电化学及其测试技术》207 《低维材料制备技术与应用》215 《光电功能材料》219 《玻璃工艺学》224 《陶瓷基复合材料》231 《粉体工程》235 《聚合物流变学》242 《高分子复合材料》248 《功能高分子材料》256 《高分子涂料》263 《材料计算与模拟》269 《增材制造技术》276 《表面工程技术》284 《金属功能材料》295 《金属材料学》302 《电子封装材料与技术》312 《半导体材料》319 《新能源材料》330 《生物医用材料》340 《仿生材料与技术》347
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新能源材料基础实验 实验一 绪论 .1 实验二 水热法制备二氧化钛纳米材料 .9 实验三 粉体粒度分布的测定.11 实验四 再沉淀制备有机半导体微粒.13 实验五 材料紫外可见光谱测试.18 实验六 材料红外性能测试.22 实验七 溶胶-凝胶法制备TiO2纳米薄膜材料.27 实验八 钢铁表面化学镀镍工艺实验.30 实验九 电化学方法沉积镍工艺实验.32 实验十 铝膜的热蒸发沉积.34 实验十一 磁控溅射制备氧化物薄膜.40 实验十二 线性电位扫描法测定银在 KOH 溶液中的电化学行为 .44 实验十三 交流阻抗法测量电极过程参数.46 新能源材料专业实验 实验一 敏化太阳能电池制备及性能测试.48 实验二 硅太阳电池制备及性能测试.54 实验三 锂电池电极材料的制备及性能表征.57
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电子皮肤作为一种柔性触觉仿生传感器已经广泛地应用于人体生理参数检测与机器人触觉感知等领域。基于金属和半导体材料的传统电子皮肤触觉传感器,由于柔韧性和可穿戴性差,已经难以满足实际使用中对拉伸性、便携性的要求。得益于柔性材料、制造工艺和传感技术的快速发展,近年来聚二甲基硅氧烷、碳纳米管、石墨烯等新材料被用于制备或支撑电子皮肤传感器,使电子皮肤在性能上更趋于人类皮肤。本文分析讨论了电子皮肤新材料以及应用于电子皮肤当中的传感技术,重点总结了近年来电子皮肤在可拉伸/压缩性、生物相容性、生物降解性、自供电性、自修复性、温度敏感性以及多功能集成等方面的研究进展,展望了未来电子皮肤新性能的研究方向以及实现大面积、低成本、多种功能集成电子皮肤传感器阵列的可能途径
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采用真空熔炼法, 经急冷和缓冷两种不同冷却条件制备了Te系化合物TeAsGeSi合金粉体.通过X射线衍射分析, 急冷工艺制备粉体呈非晶态, 缓冷工艺制备的粉体呈晶态, 结晶主相为R-3m空间群的As2GeTe4; 差热-热重分析显示, 升温至350℃时缓冷粉体As2GeTe4成分熔融, 400℃时两种粉体均开始快速失重, 为避免制备过程中发生材料熔融及挥发损失, 确定烧结温度不超过340℃.采用真空热压法制备TeAsGeSi合金靶材, 将两种粉体分别升温至340℃, 加压20 MPa, 保温2 h制备出两种靶材, 其中缓冷粉体制备的靶材致密度高, 为5. 46 g·cm-3, 达混合理论密度的99. 5%, 形貌表征显示此靶材表面平整, 孔洞少, 元素分布均匀
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综述了黄铁矿在选矿过程中有关的电化学行为及工作机理,重点讨论了黄铁矿结构特性、溶液中氧化、金属离子作用和抑制剂对黄铁矿电化学行为的影响;此外,还讨论了磨矿过程中电偶相互作用、研磨介质形状、介质材料和研磨气氛对研磨中黄铁矿电化学行为的影响。其中黄铁矿晶体结构的不同对黄铁矿表面的氧化具有较大影响,从而间接的影响黄铁矿的可浮性,半导体性质对黄铁矿的导电率具有显著的影响;同时适度的氧化有利于黄铁矿的无捕收剂浮选,而强烈的还原电位或氧化电位会抑制黄铁矿的浮选;电位的增加,对铜活化黄铁矿有不利影响,主要原因是电位增加导致活化Cu+的浓度降低,同时黄铁矿表面被铁氧化物覆盖阻碍了铜离子的吸附。抑制剂的加入可以直接参与捕收剂与黄铁矿之间的氧化还原反应,从而抑制黄铁矿的浮选;同时磨矿介质及气氛条件的不同也会影响黄铁矿电化学行为
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本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备,重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习,将能够: 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积(CVD)反应的8个基本步骤,包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制,解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统,解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性,给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质
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