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第一章 质点的运动 第二章 牛顿运动定律 第三章 运动守恒定律 第四章 刚体的转动 第六章 气体动理论 第七章 热力学基础 第八章 真空中的静电场 第九章 导体和电介质中的静电场 第十章 恒定电流和真空中恒定磁场 第十一章 磁介质中的磁场 第十二章 电磁感应和电磁场 第十三章 振动学基础 第十四章 波动学基础 第十五章 光的干涉 第十六章 光的衍射 第十七章 光的偏振
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5.3 Junction FET 5.1 Metal Oxide Semiconductor FET 5.2 MOSFET Amplifiers 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 -FET Amplifiers 5.0 Introduction to FET
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电物性基础: 导电性: 物体在外电场作用下,对电能的传递与损耗的性质称为该物体的导电性。 介电性: 物体在外电场作用下,对电能的贮存和损耗的性质称为该物体的介电性
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以首钢水厂铁矿为依托工程,在系统的边坡工程地质勘查、岩体结构、水文地质调查与渗流场分析、矿区地应力场测量和矿岩物理力学特性测试的基础上,采用固-流耦合的有限差分法、离散单元法和极限平衡分析法相结合的方法,进行了水厂铁矿高陡边坡稳定性的系统分析研究和边坡优化设计,使水厂铁矿各分区的总体边坡角提高了1~6°
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5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法
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5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应
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一.d 轨道在配位场中的能级分裂(电子光谱的基础和来源) 二.过渡金属配合物的电子光谱,O大小的表征―电子光谱(吸收光谱,紫外可见光谱),T―S图 三.电荷迁移光谱(charge transfer,CT光谱)
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一.d 轨道在配位场中的能级分裂(电子光谱的基础和来源) 二.过渡金属配合物的电子光谱,O大小的表征―电子光谱(吸收光谱,紫外可见光谱),T―S图 三.电荷迁移光谱(charge transfer,CT光谱)
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1. 桥形接线 (1) 内桥接线 适合于线路长,线路故障率高,而变压器不需要经常操作的场合。 (2) 外桥形接线 适合于输电距离短,线路故障机会较少,而变压器需要经常操作的场合
文档格式:PPT 文档大小:3.89MB 文档页数:57
一d轨道在配位场中的能级分裂(电子光谱的基础和来源) 二.过渡金属配合物的电子光谱,Δ大小的表征电子光谱(吸收光谱,紫外可见光谱),T—S图 三电荷迁移光谱(charge transfer,CT光谱)
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