以CSP流程生产的含B和无B的SPHD冷轧基板为实验材料,运用拉伸实验、金相观察、SEM、TEM和EBSD手段,对比分析了两种钢的力学性能、组织、析出物、位错密度和晶体学取向的变化.研究表明:微合金元素B的加入明显使SPHD冷轧基板的铁素体晶粒粗大化,钢中有粗大的析出相粒子产生,且位错密度下降,从而引起屈服强度的降低.采用背电子散射EBSD技术分析了无B和含B钢的晶体学取向,其取向主要为大角度晶界,且无B钢中存在着大量的亚晶

2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2.2 基本共射放大电路的工作原理 2.3 放大电路的分析方法 2.4 放大电路工作点的稳定 2.5 晶体管放大电路的三种基本接法 2.6 晶体管放大电路的派生电路 2.7 场效应管放大电路

一、直流图解分析是在晶体管特性曲线上，用作图的方法确定出直流工作点，求出IBQ、UBEQ和ICQ、CEQ。 二、对于图2―16所示共射极放大器，其直流通路重画于图2―20(a)中。由图可知，在集电极输出回路，可列出如下一组方程：

 定义：HD, IM, 交调点  MOS管的非线性 单端放大器 差分放大器  双极型晶体管的非线性  负反馈能够减小非线性  运算放大器的非线性  其他非线性和准则

§2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 放大电路静态工作点的稳定 §2.5 晶体管单管放大电路的三种基本接法 §2.6 晶体管基本放大电路的派生电路 §2.7 场效应管放大电路

第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

本章学习要求： 1. 了解原子核外电子运动的基本特征，明确量子数的取值规律，了解原子轨道和电子云的空间分布。 2. 掌握核外电子排布的一般规律及其与元素周期表的关系。 3. 了解化学键的本质及键参数的意义。 4. 了解杂化轨道理论的要点，能应用该理论判断常见分子的空间构型、极性等。 5. 了解分子间作用力以及晶体结构与物质物理性质的关系。 目录： ➢ 5.1 原子结构的近代概念 ➢ 5.2 多电子原子的电子分布方式和周期系 ➢ 5.3 化学键与分子间相互作用力 ➢ 5.4 晶体结构

10.6.1 晶体管的基本结构 10.6.2 电流分配和电流放大作用 10.6.3 特性曲线 10.6.4 主要参数

对称性：一个物体（图形）具有对称性，是指该物体（或图形）是由两个或两个以上的部分组成，经过一定的空间操作（线性变换），各部分调换位置之后，整个物体（或图形）保持不变的性质•对称操作：维持整个物体不变而进行的操作；或者操作前后物体任意两点间的距离保持不变的操作

第一章. X射线的性质 1 概述 2 X射线的性质 3 X射线的产生 4 X射线与物质的相互作用 5 物质对X射线的吸收 第三章. 晶体对X射线的衍射 1 衍射的概念 2 劳埃方程式 3 布拉格方程式 4 两种方程式的统一 5 布拉格方程式的意义 6 布拉格方程式和衍射方向 7 能检测到的面网间距范围