第一节植物性食品原料 一、果蔬加工原料 (一)果蔬的组织结构及种类 (二)果蔬的化学成分与加工的关系 1.水分 2.碳水化合物

分别采用X射线衍射、金相显微镜、原子力显微镜和透射电镜等组织表征手段以及室温拉伸和热膨胀系数测试等性能测试方法,对比研究了高温退火、低温时效处理对冷拔Fe-Ni合金丝微观组织演变、拉伸强度以及热膨胀系数的影响.研究结果表明:原始丝材强度高,但是室温热膨胀系数较大;而950℃退火导致晶粒粗化以及位错密度降低,虽然室温热膨胀系数低,但强度不足.相比之下,500℃较低温度的时效处理,能获得最优的强度/热膨胀系数组合(1189 MPa/0.2×10-6℃-1).对Fe-Ni合金丝相应的强化机制以及热膨胀系数的影响因素分别进行了讨论分析,分析结果表明:细晶强化与位错强化是该合金丝的主要强化机制,而热膨胀系数则主要受溶质原子-位错交互作用影响.揭示出,合适的热处理工艺选择对于Fe-Ni合金丝力学性能/热膨胀性能优化具有重要意义

第十二章杂环化合物 第一节 杂环化合物:在环状化合物中,组成环的原子除碳原子外还有其他元素的原子时,称为杂环化合物

研究了不同体积分数原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料在900℃空气中1000 h的长期氧化行为.复合材料氧化1000 h后，均未发生pest现象.6种材料都表现出优异的氧化抗力，原位合成的复合材料的氧化抗力好于传统的通过热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料（外加复合材料）.复合材料氧化膜表层为连续致密的α-SiO2（α-石英），下层为Mo5Si3，复合材料的氧化过程不仅是O2与MoSi2的作用，SiC也同时发生了氧化.材料900℃下发生硅的选择性氧化，正是这种硅的选择性氧化在MoSi2的表面自发形成一层致密的SiO2保护膜，使材料表现出优异的长期氧化抗力

采用水热法和还原氮化法合成了菊花状形貌的氮化钛（TiN）纳米材料，并将其与还原氧化石墨烯（rGO）水热复合制备了氮化钛–还原氧化石墨烯（TiN-rGO）复合材料。利用扫描电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试方法对材料的形貌和物相进行了表征和分析。结果表明，TiN-rGO复合材料很好地保持了TiN菊花状的三维结构和rGO透明褶皱的形貌，且层状的rGO均匀地包覆在了菊花状的TiN的周围。用TiN-rGO复合材料修饰玻碳电极（GCE）制得了TiN-rGO/GCE电化学传感器，用于测定人体中的生物小分子DA和UA。由于复合材料中TiN和rGO的协同效应，构建的电化学传感器表现出了优秀的电化学性能。检测结果表明：TiN-rGO/GCE传感器对DA和UA的检测限分别为0.11和0.12 μmol·L?1，线性范围分别为0.5～210 μmol·L?1和5～350 μmol·L?1，且具有良好的抗干扰性、重现性和稳定性，且成功应用于人体内真实样品的DA和UA检测

8.1 可编程接口芯片概述 ❖片选概念 ❖读/写概念 ❖可编程接口的概念 ❖“联络”的概念 8.2 可编程并行接口芯片8255A ❖8255A的结构和引脚功能 ❖8255A的工作方式 ❖8255A的初始化 ❖8255A的应用举例 ❖16位系统中的并行接口 8.3 可编程定时器/计数器8253-5 ❖可编程定时器/计数器的基本工作原理 ❖8253-5的结构和功能 ❖8253-5的工作方式 8.4 串口接口芯片 ❖串行通信概述 ❖串行接口原理 ❖可编程通信接口8251A 8.5 模拟接口 ❖概述 ❖数/模转换器DAC0832及其接口 ❖模/数转换器ADC0809及其接口

健美操的创编原则、方法和步骤 教通过教学,使学生了解健美操的创编原则、方法和步骤,便于学生在课外活动中自己编排健美操 要 要创编一套科学合理,易于推广的健美操,不仅要求创编者有丰富的体育运动知识和生活知识,而 且精通健美操的内在规律,并具备一定的音乐、舞蹈、美学方面的知识,把握创编的原则、方法和程序 这是对创编者的最基本的要求

这一章中,我们介绍物质的微观结构——原子结构化学工作者总是希望通过对物质 本质的认识,来阐明元素相互化合的原理,把化学事实系统化,使化学成为可以理解的、 容易加以记忆的学科。人们利用这些原理来预言具有新功能的化合物的诞生。例如科学家 利用等电子原理( the isoelectronic principle)合成新的化合物:

第一章制冷原理 主要介绍: 1.制冷技术的发展概况; 2制冷方法; 3.逆卡诺循环; 4.机械制冷循环 5.常用制冷剂。 重点:单级蒸汽压缩式制冷循环的原理

利用背散射电子衍射技术对高速冲击前后高锰钢样品强制剪切区域的晶粒进行准原位观察,分析了剪切区域不同位置晶粒的相变情况,并借助有限元模拟及受力计算对不同晶粒相变程度差异的原因做了进一步分析.结果表明,在高速变形下,应力应变水平、奥氏体取向及晶粒间的相互作用共同影响TRIP行为:应力应变水平越高,相变程度越大;由于帽型样中剪切应力的存在,相比于近〈111〉取向奥氏体,近〈100〉和近〈110〉取向奥氏体相变程度更大,近〈110〉取向相变程度最大.具有有利取向的奥氏体,晶粒尺寸越大,其相变行为受周围晶粒影响越小,越容易充分相变;具有有利取向的长条状奥氏体晶粒,若其两侧晶粒难相变,则该晶粒相变将受到束缚;带有尖角的晶粒,变形时应力集中难以释放,易发生相变;当晶粒的孪生分力大于滑移,但其最大和次大的孪生分力相差不大,可能导致在这两个方向孪生互相竞争,反而不易相变.高速变形时体心马氏体多在晶界应力集中处产生,很少在晶粒内部大量产生,形态多为细片状,变体选择强