5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

5.1 梯形图的经验设计法 5.2 根据继电器电路图设计梯形图的方法 5.3 顺序控制设计法与顺序功能图 5.4 使用置位复位指令的顺序控制梯形图设计法 5.5 使用SCR指令的顺序控制梯形图设计法 5.6 具有多种工作方式的系统的顺序控制梯形图设计法

17.1 非线性电阻 17.6* 工作在非线性范围的运算放大器 17.2 非线性电容和非线性电感 17.3 非线性电路的方程 17.4 小信号分析法 17.5 分段线性化方法 17.7* 二阶非线性电路的状态平面 17.8* 非线性振荡电路 17.9* 混沌电路简介 17.10* 人工神经元电路

17.1 非线性电阻 17.2 非线性电容和非线性电感 17.3 非线性电路的方程 17.4 小信号分析法 17.5 分段线性化方法 17.6* 工作在非线性范围的运算放大器 17.7* 二阶非线性电路的状态平面 17.8* 非线性振荡电路 17.9* 混沌电路简介 17.10* 人工神经元电路

第一节 病情观察 第二节 危重患者的抢救和护理 一、抢救工作的组织管理与抢救设备管理 二、常用抢救技术 ◆心肺复苏术 ◆洗胃法 三、危重患者的护理

§5-1 半导体BJT（Bipolar Junction Transistor）三极管 §5-2 共射极放大电路 §5-3 图解分析法 §5-4 小信号模型分析法 §5-5 放大电路的工作点稳定问题 §5-6 共集电极电路和共基极电路 §5-7 放大电路的频率响应

通过典型工业化应用案例，深刻认识正确的理论指导与科学的实验方法论在开发工作中的重要性；了解与掌握逐级经验放大与数学模型法的不同，了解与掌握两种开发方法的研究思路与方法；了解与掌握化工过程开发中技术路线、实验方法、实验手段的选择原则；了解与掌握生产实践经验中蕴含的工程概念与工程理论

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

§5-1 半导体BJT §5-2 共射极放大电路 §5-3 图解分析法 §5-4 小信号模型分析法 §5-5 放大电路的工作点稳定问题 §5-6 共集电极电路和共基极电路 §5-7 放大电路的频率响应

§4-1 双极性结型晶体管 §4-2共射极放大电路 §4-3图解分析法 §4-4 小信号模型分析法 §4-5 放大电路的工作点稳定问题 §4-6 共集电极电路和共基极电路 §4-7放大电路的频率响应