2-3.解：设事件 A 为女孩是大学生；设事件 B 为女孩身高 1.6 米以上，根据题意 可知 P(A)＝0.25 P(B)＝0.5 P(B/A)=0.75 “身高 1.6 米以上的某女孩是大学生”这消息表明是在 B 事件发生的条件 下，A 事件发生。所以其概率为P(A/B)

9-1如图9-1所示,一条无穷长载流20A的直导线在P点被折成120°的钝角,设d=2cm,求P点的磁感应强度。 解:P点在OA延长线上,所以OA上的电流在P的磁感应强度为零

基态原子的电子组态由主量子数n和角量子数所决定根据能量最低原理,镧系 元素的原子电子组态有两种类型,即[Xe4f6s2和[Xe]4fm-5d6x其中[e]为氙 的电子态,即1s22p323p3d4s24p4525p,n=1至14.镧、、钆的基 态原子电子组态属于[Xe-56类型;镥原子的基态电子组态属于[Xelf5d6s2 类型;其余元素即错、钕、钷、钐、铕、铽镝、铁、、铥、镱各元素均属于 [Xe46f2类型

1、可降阶的高阶微分方程的解法 (1)y=f(x)型 解法接连积分n次,得通解. (2)y\=f(x,y)型 特点不显含未知函数y 解法令y=P(x),y\=P, 代入原方程,得P=f(x,P(x))

§2.1 纯流体的p-V-T相图 §2.2 气体状态方程（EOS） §2.3 对应态原理和普遍化关联式 §2.4 液体的p-V-T性质 §2.5 真实气体混合物p-V-T关系 §2.6 状态方程的比较和选用 §2.1.1 T –V 图 §2.1.2 p-V 图 §2.1.3 p-T 图 §2.1.4 p-V-T 立体相图 §2.1.5 纯流体p-V-T关系的应用及思考 §2.1.1 T –V 图 在常压下加热水 §2.1.1 T -V图 §2.1.2 P-V图 §2.1.3 P-T图 临界等容线 §2.1.4 P-V-T立体相图 §2.1 纯流体的P-V-T相图 §2.1.5 纯流体P-V-T关系的应用 §2.2 状态方程（EOS） §2.2.1 状态方程（EOS）的定义 §2.2.2 理想气体的状态方程 §2.2.3 气体的非理想性 §2.2.4 真实气体的状态方程 §2.2.4.1 van der Waals范德华状态方程 §2.2.4.2 Redlich-Kwong状态方程 §2.2.4.3 Soave- Redlich-Kwong状态方程 §2.2.4.4 Peng-Robinson状态方程 §2.2.4.5 Virial（维里）状态方程 §2.2.5 状态方程的小结 §2.2.3 气体的非理想性1 §2.3.4.1 §2.3.4.2 §2.2.3.1 立方型状态方程 §2.2.4.1 立方型状态方程 §2.2.4.5 Virial (维里)方程 §2.2.5 状态方程小结 §2.3 状态方程的普遍化关联 §2.3.1 对应态原理 §2.3.2 两参数对应态原理 §2.3.3 三参数对应态原理 §2.3.4 普遍化压缩因子图法 §2.3.5 普遍化第二维里系数法 §2.3.6 对比态原理小结及启发 §2.3.4 对比态原理小结 §2.3.4 对应态原理小结 §2.5 真实气体混合物PVT关系 §2.5.1 真实气体混合物的PVT的研究思路 §2.5.2 混合规则 §2.5.1真实气体混合物PVT性质的研究思路 §2.5.2.1 虚拟临界常数法和Kay规则 §2.5.2.2 气体混合物的第二维里系数 §2.5.2.3 立方型状态方程

定义: 设P是一个数域,元是一个文字,P是多项式环, 若矩阵A的元素是的多项式,即P2的元素,则 称A为九一矩阵,并把A写成A(4 注: ①∵PcPI孔],∴数域P上的矩阵一数字矩阵也 是一矩阵

（1）MCS-51系列的8051的基本结构； （2）存储器结构及其配置； （3）P0、P1、P2、P3四个I/O口的基本工作原理和操作特点； （4）单片机的时序 （5）复位

一、空题 1.状态方程P(V-b)=RT的偏离焓和偏离熵分别是 H-H* =y-r() _R] dp=+bp=bp和 s-s +RIn= =0: ( )-H(.R) 和S(T2,P2)-S(T,P)还需要什么性质?C;其计算式分别是H(2,2)-h(,P)

一、设计任务：设计完成一个基于 74LS573 并行显示接口系统 二、设计要求：利用软件译码和 74LS573 将需要显示的内容显 示出来，显示方式为并行显示，将 0---F 依次显示出来。 其中：（1）P2 为送数口

1问答题 1.1什么是ROM、RAM? 1.2为什么当P2口作为扩展存储器高8位地址后,不再适宜作通用I/0口了? 1.3在8031扩展系统中,外部程序存储器和数据存储器共用16位地址线和8位数据线,为什么两个存储器的地址不会发生冲突?