4.1 半导体三极管（BJT） 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.2 共射极放大电路 1. 电路组成 4. 简化电路及习惯画法 2. 简单工作原理 3. 放大电路的静态和动态 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 BJT的小信号建模 4.4.2 共射极放大电路的小信号模型分析 1. H参数的引出 2. H参数小信号模型 3. 模型的简化 4. H参数的确定 • 利用直流通路求Q点 • 画小信号等效电路 • 求放大电路动态指标 4.5 放大电路的工作点稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 4.5.1 温度对工作点的影响 4.5.2 射极偏置电路 4.6 共集电极电路和共基极电路 • 电路分析 • 复合管 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 4.6.1 共集电极电路 4.6.2 共基极电路 4.7 放大电路的频率响应 4.7.1 单时间常数RC电路的频率响应 4.7.2 单级放大电路的高频响应 • RC低通电路的频率响应 • RC高通电路的频率响应 4.7.4 单级放大电路的低频响应 4.7.4 多级放大电路的频率响应 • 多级放大电路的增益 • 多级放大电路的频率响应 • 低频等效电路 • 低频响应

本章重点： ◼ 理解数字滤波器的基本概念、设计内容及方法 ◼ 掌握脉冲响应不变法设计IIR滤波器 ◼ 掌握双线性变换法设计IIR滤波器 ◼ 了解Butterworth、Chebyshev低通滤波器的特点 ◼ 掌握从模拟滤波器低通原型到各种数字滤波器的频率变换。 ◼ 掌握从数字滤波器到各种数字滤波器的频率变换 学习重点： ◼ 1、如何确定滤波器的设计指标。 ◼ 2、设计IIR LDF两种变换法（模拟频率变换法，数字频率变换法）。 ◼ 3、利用模拟滤波器来设计数字滤波器的两种方法（冲激不变法、双线性变换法）。 ◼ 3.1 IIR滤波器设计（两种方法） ◼ 3.2 模拟滤波器到数滤波器转换 ◼ 3.3 模拟低通到各种数字滤波器的频率变换 ◼ 3.4 数字低通到各种数字滤波器的频率变换

制冷的任务是将被冷却物体中的热量移 向周围介质(水或空气),使物体温度降 低,且低于周围介质的温度,并能保持 一定的温度。热量常从高温物体传向低 温物体,但制冷过程可使热量从低温物 体传向高温物体,这个过程要消耗能量 。制冷剂在制冷机中循环周期地从被冷 却物体中取得热量,并传递给周围介质 ,同时制冷剂也完成了状态的循环,实 现这个循环必须消耗能量

采用反应管对基于过渡金属氧化物载氧体的煤矿通风瓦斯(VAM)处理性能展开了研究.结果表明,经活化后的三种载氧体均能将CH4完全转化为CO2,其活性顺序为CuO60/γ-Al2O3 > NiO60/γ-Al2O3 > Fe2O360/γ-Al2O3;基于CuO60/γ-Al2O3的CH4转化率随空速的增加而减小,随CuO负载量和床层温度的升高而增大;煤矿通风瓦斯中的CH4浓度越低,CH4转化率达到90%所需的床层温度就越低;对活性物质低分散高负载的CuO60/γ-Al2O3和活性物质高分散低负载的CuO5.5/γ-Al2O3两种CuO/γ-Al2O3系载氧体进行了比较,发现两种载氧体的CH4转化机理均包含有化学链燃烧和催化燃烧两种机理,基于催化燃烧机理的CH4转化率在一定温度下存在极大值,当床层温度高于该极大值温度时,化学链燃烧对CH4转化率的贡献明显大于催化燃烧对CH4转化率的贡献;相同条件下,CuO5.5/γ-Al2O3的初期活性优于Cu60/γ-Al2O3,但CuO60/γ-Al2O3的活性稳定性优于CuO5.5/γ-Al2O3

利用JB-30B型冲击试验机研究了不同含量的残余元素锡、锑及稀土镧对低氧、低硫的34CrNi3Mo钢冲击韧性的影响;采用SEM及EDS手段研究了稀土镧对不同锡、锑含量钢的断裂方式的影响以及在钢中形成化合物的情形.结果表明:稀土金属可以明显改善低氧、低硫钢中残余元素对钢性能的危害;镧可与钢中的残余元素作用形成复合相且分布均匀

对利用驰豫-析出-控制相变(TMCP+RPC工艺)技术获得的800MPa级超细晶粒低合金高强度钢的低周疲劳性能进行了测试,并对其循环特性和疲劳断口进行了观察和分析,发现该材料为循环软化,而且随着应变幅的提高,材料的软化速率逐渐增大.对材料的疲劳断口观察表明,疲劳裂纹起始于试样表面,沿断口周边分布,呈多源性特征

采用微波等离子体CVD两段式低温沉积技术,在700~400℃温度范围内沉积了红外增透性良好的金刚石薄膜,结果表明,采用高甲烷浓度可以实现较低沉积温度下的高密度形核,获得光学平整的金刚石薄膜,施加直流偏压的方法在低温下对金刚石形核的促进作用不明显,实验观测到的最大增透率达20%,最大红外透射率接近80%,可满足不同气氛下金刚石容器的应用

氢泡室的工作条件,要求制做泡室用的不锈钢在液态氢的极低温度(20k)下,有足夠的强度和韧性,在三万高斯的磁场中导磁率不大于1.005高斯奥斯特,此外,还要求这种钢有好的加工性能和焊接性能。我们根据氢泡室用钢的要求,参照美国西屋电器公司研制的kromarc-55不锈钢,[1]初步研制出k-55不锈钢带材(17.4毫米×240毫米×10米),于室温,液氮(-196℃)液氦(-269℃)三种温度下测试了拉伸曲线,测试了低温下的导磁率μ和膨胀系数α,並对材料的组织和断口进行了观察,对材料在低温拉伸过程中出现的现象进行了探讨。实验结果证明,我们炼制的K-55不锈钢基本上满足氢泡室工程要求

在模拟氧化及酸性土壤条件下,用制备的低聚合羟基铁-蒙脱石复合体进行了砷酸根、铬酸根离子的竞争吸附实验,研究了砷酸根离子和铬酸根离子不同用量及不同添加顺序对竞争吸附的影响,并与蒙脱石和含水氧化铁进行了对比。结果表明,低聚合羟基铁-蒙脱石复合体对砷酸根及铬酸根离子有不同的吸附能力,但在实验条件下砷酸根及铬酸根离子在低聚合羟基铁-蒙脱石复合体表面不发生竞争吸附。砷酸根和铬酸根的吸附顺序对其吸附量有一定的影响。竞争吸附实验的砷酸根、铬酸根吸附量均高于对其单阴离子的吸附量,此现象在复合体表面最为明显,说明复合体具有独特的阴离子吸附性能

采用磁控溅射方法,分别在纯Fe以及低硅钢基片上沉积富Si膜,并对其进行真空扩散热处理.通过能谱分析及X射线衍射研究了Si在纯Fe与低硅钢基体中的扩散特征,运用DICTRA软件建立了扩散模型.研究发现Si在纯Fe基体中扩散时发生γ-Fe(Si)→α-Fe(Si)相转变,扩散速率受控于相界面的迁移.当沿截面Si含量梯度不足以驱动相界面正向迁移时,延长扩散时间会发生相界面回迁现象,最终趋于单一相内均匀化扩散过程.Si在低硅钢基体中的扩散符合Fick扩散第二定律