实验一金属拉伸试验 实验二 金属压缩试验 实验三 金属扭转试验 实验四 测定弹性模量 E 电测应力分析 实验五 纯弯曲梁正应力的测定 实验六 弯扭组合变形主应力的测定 附录一 万能材料试验机简介 附录二 扭转试验机简介 附录三 WJ-3KN 型拉伸测 E 值测试仪 附录四 材料力学实验装置 附录五 DH3818 静态电阻应变仪 附录六 常用工程材料的力学性质和物理性质

就采用超音雾化沉积方法制备WC颗粒强化M2高速钢复合材料的可能性进行了探讨.用光学显微镜，电镜，硬度计等研究了复合材料的组织结构及硬度性能.最终获得了性能优异的复合材料

通过Mo,Si,B三种单质粉末原位合成热压的方法制备了成分为Mo-12Si-8.5B和Mo-28Si-8.5B的Mo-Si-B三元系复合材料.利用金相显微镜、金相偏光镜、X射线衍射技术、扫描电镜等对制备材料的组织进行了分析,研究了退火工艺对其组织的影响,测量了其室温断裂韧性,并对复合材料的增韧机制进行了初步的探讨

在透射电镜(TEM)下原位观察了,Ce-TZP陶瓷材料中裂纹扩展过程,发现其与一些金属中裂纹扩展过程较相似,先在主裂纹前端形核微裂纹、微裂纹长大、然后主裂纹与微裂纹连接向前扩展。在裂尖应力场的作用下,裂尖附近有部分四方相发生马氏体相变,增加了材料的断裂韧性。同时还观察到裂纹弯曲和转向。实验还发现在该材料中主裂纹尖端并不尖锐,而为钝裂纹

近年来，在熔盐辅助法制备TiC材料方面已取得一定研究成果，已采用熔盐辅助法制备出不同粒度、形貌各异及纯度不同的TiC粉体、TiC涂层和TiC纤维等。本文在归纳总结熔盐辅助碳热还原法、熔盐辅助电化学法、熔盐辅助金属热还原法、熔盐辅助直接碳化法以及熔盐辅助微波合成法制备TiC材料的工艺、原理、产物纯度、形貌及其优缺点等基础上，对未来在杂质去除、提高TiC纯度、调控TiC形貌等方面的研究进行了展望，期望为高质量TiC材料的制备提供技术参考

利用氢氟酸（HF）刻蚀MAX（Ti3AlC2）相获得一种新型二维层状材料MXene（Ti3C2Tx），利用液相插层法扩大MXene材料层间距，然后在MXene表面分别负载纳米片状（NSV）和纳米带状（NBV）的五氧化二钒（V2O5）.利用X射线衍射（XRD）、比表面积测试分析（BET）和高分辨场发射扫描电镜（FESEM）等手段对复合材料进行了结构表征

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

同质结:由同种半导体材料构成的N区或P区,形成的PN结。如将两块带隙宽度相同、掺杂不 同的半导体材料,在一定的条件下生长在一起形成同质结。 异质结:两种带隙宽度不同的半导体材料生长在同一块单晶上形成的结。 同型异质结:结的两边导电类型相同:NN,PP结 异型异质结:结的两边导电类型不相同:NP,PN结 对于异型异质结:两种材料的带隙不同

pn结是在一块半导体中用掺杂的办法 做成两个导电类型不同的部分。一般pn 结的两边是用同一种材料做成的,也称为同质结〃。广义上说,如果结两边是用不同的材料制成,就称为`异质结”, 但一般所说的指两种不同半导体材料的 接触构成的半导体异质结。根据结两边的半导体材料的导电类型,异质结可分为两类:反型异质结(pn,n-p)和同型 异质结(n-n,p-p)。另外,异质结又可 分为突变型异质结和缓变型异质结,当前人们研究较多的是突变型异质结

电磁特异材料研究（高频腔实验资料）：Studies on high order mode of bell-shaped prototype cavities