采用盐雾试验和电化学阻抗谱测试技术研究了纯锌和锌铝伪合金涂层在含氯离子环境中的腐蚀行为和电化学特性,通过扫描电镜、X射线物相分析等手段研究了原始涂层及腐蚀后的表面形貌和腐蚀产物的相结构,并对两种涂层的腐蚀机理进行了初步的探讨.随着盐雾时间的增加,纯锌涂层表面逐渐生成疏松多孔的胞状腐蚀产物层,主要腐蚀产物为Zn5(OH)8Cl2H2O、ZnO和Zn5(CO3)2(OH)6,盐雾试验达到768 h后腐蚀产物层局部区域发生龟裂.锌铝伪合金涂层表面生成致密的腐蚀产物层,主要为Zn5(OH)8Cl2H2O、Zn0.71Al0.29(OH)2(CO3)0.145·xH2O及ZnAl2O4.电化学阻抗谱测试结果表明:随着盐雾时间的延长,两种涂层的电荷转移电阻均逐渐增大,但锌铝伪合金涂层的阻抗要明显大于纯锌涂层,表现出了更好的耐蚀性

摘要用甲酸沉淀法从废催化剂中回收铂,其回收率98.6%,纯度999%以上。铂催化剂的应用范围很广,于是含Pt废催化剂的量也不断增加,对废催化剂的综合利用显得很重要本文介绍用甲酸沉淀法从废催化剂中制取高纯Pt的工艺,操作简单,成本低,Pt回收率986%,纯度999%

第十三章多肽与蛋白质类药物 第一节多肽及蛋白质类药物的生产方法 一、蛋白质类药物的分离与纯化 (一)材料的选择 蛋白质类药物的来源有动植物组织和微生物等,原则是要选择富含所需蛋白质多肽成分的,易于提取得无害生物材料。对天然蛋白质类药物,为了提高质量、产量和降低生产成本,对原料的种属,发育阶段、生物状态、来源、解剖部位、生物技术产品的宿主菌或细胞都有一定要求,使得纯化工作相对容易

作业二: 1.纯铁的空位形成能为1.510-19J/aom,将纯铁加热至850℃后激冷至室 温(20℃),若高温下的空位全部保留,试求过饱和空位浓度与室温平衡空位 浓度的比值

第二章半导体材料 一、半导体材料 １.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ２.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 ３.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

第十七章脂类药物 第一节脂类药物生产方法 脂类系脂肪、类脂及其衍生物的总称。其共同物理性质是不溶或微溶于水,易溶于某些有机溶剂,在体内以游离或结合的形式存在于组织细胞中,其中具有特定生理药理效应者称为脂类药物。 一、脂类药物制备 (一)直接抽提法 在生物体或生物转化反应体系中,有些脂类药物是以游离形式存在的,如卵磷脂、脑磷脂,亚麻油、花生四烯酸及前列腺素等。因此通常根据各种成分的溶解性质,采用相应溶剂系统从生物组织或反应体系中直接抽提出粗品,再经过各种分离纯化技术和精制方法,得到纯品

第一节纯培养微生物的群体生长 一、获得纯培养的方法 (一)稀释分离法 1.稀释平皿分离法 2.平皿划线分离法 3.单细胞挑取法 (二)选择培养基 二、细菌群体生长的测量 (一)细胞数量的测量 (二)细胞生物量的测定 三、分批培养中细菌群体的生长

后现代主义 产生时间:20世纪60年代,流行于70、80年代的欧美 特征:一种文化倾向(反文化、反美学、反文学)。后现 代主义是旨在反抗现代主义纯而又纯的方法论的一场运 动,它广泛地体现于文学、哲学、批评理论、建筑及设 计领域中。所谓“后现代”并不是指时间上处于“现代” 之后,而是针对艺术风格的发展演变而言的

一、本门课程的产生及内容 化学工业是对原料进行化学加工以获得有用的产品。显然,其核心是化学反应过程及其设备, 为使化学反应经济有效的进行,反应器内必须保持某些最佳反应条件,如适宜的压强、温度和物料 的纯度。这些过程统称为前处理。反应后,产物与反应物必须分开,产物必须精制,这些过程称为 后处理。前后处理中,绝大多数过程是纯物理过程