放大器基础知识 共源级 —电阻做负载 共源级 —二极管接法的MOS 管做负载 共源级 —电流源做负载 共源级－深线性区MOS管做负载 共源级－带源极负反馈

10.1 概述 10.2 多极点系统 10.3 相位裕度 10.4 频率补偿 10.5 两级运放的补偿 10.5.1 两级运放中的压摆率限制 10.6 其他补偿技术

9.1 概述 9.1.1 性能指标 9.2 一级运放 9.3 两级运放 9.4 增益的提高 9.5 性能比较 9.6 共模反馈 9.7 输入范围限制 9.8 转换速率 9.9 电源抑制 9.10 运放的噪声

基本概念基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等

第一节引言 信息产业值占国民经济总值的40%~60%是支柱 微电子工业是国民经济信息化的基石 集成电路是微电子技术的核心 如果以单位质量的“钢”对国民生产总值的贡献为1来 计算,则小轿车为5,彩电为30,计算机为1000,而 集成电路则高达2000

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

一、实验内容: 对74HC139电路的片选信号Cs支路进行分析,确定其域值电压,输入输出 延迟及功耗,并给出Cs支路的版图设计

2.3.1 频率响应的基本概念 2.3.1.1 晶体管电流放大系数的频响特性 定义：

2. 直流传输特性曲线 c区：νI 0(小)，A′→B点

在输入端加入直流电压,改变直流电压的数值,求得相应输出电压