电磁波入射到介质界面上,会发生反射、折射现象(如光入射到水面、玻璃面)。反射、折射定律有两个方面的问题: (1)入射角、反射角和折射角之间的关系问题; (2)入射波、反射波和折射波振幅和相位的变化关系

这是一本关于 Intel 80C51 以及广大的 51 系列单片机的书 这本书介绍给读者一些 新的技术 使你的 8051 工程和开发过程变得简单 请注意 这本书的目的可不是教你各种 8051 嵌入式系统的解决方法 为使问题讨论更加清晰 在适当的地方给出了程序代码 我们以讨论项目的方法来说 明每章碰到的问题 所有的代码都可在附带的光盘上找到 你必须熟系 C 和 8051 汇编 因 为本书不是一本C和汇编的指导书 你可以买到不少关于ANSI C的书 最佳选择当然是Intel 的数据书

gn_8_1 点的应力状态 物体内任一点处各个方向面上应力的集合。(F 书 p.77 图 4-3） gn_8_2 应力圆 对平面一般应力状态，可在σ—τ坐标系中，以σα、τα为变量描述一点不同方向上应力分量之间的关系。该关系几何上是一圆，简称应力圆，也称莫尔圆。（F 书p.82 图 4-8）

一、关于受力分析-问题 二、刚体静力学模型 三、关于受力分析-过程与方法 四、结论与讨论

铁磁质 一、铁磁质及其磁化 铁磁质B>B铁、镍、钴、铁氧体 对于顺磁质与抗磁质,B与H有线性关系, 磁导率μ为一常量。即: B= 对于铁磁质,B与H之间的关系比较复杂, 磁导率μ不是一个常量。 由实验所测定的B与H之间的关系曲线 称为磁化特性曲线

通过本节学习，了解“绿色”信息产业并 注意健康保护；了解信息产业企业的道德 准则和从业人员道德准则；了解与计算机 科学技术有关的法律法规；了解与计算机 科学技术有关的职业、职位及择业的基本 原则；懂得终生学习的重要性，树立终生 学习的理念

1.磁场为有旋场,不能在全空间引入标势。 2.在电流为零区域引入磁标势可能非单值原因:静电力作功与路径无关,E.di=0引入的电势是单值的;而静磁场庄·di一般不为零,即静磁场作功与路径有关,即使在能引入的区域标势一般也不是单值的

Markov 过程是随机过程研究的对象之一 运动是世界存在的本质，我们所关注的事物、 对象、目标等等，无不在变化中，其中大多数 还处在随机变化中 探讨随机运动的趋势、可能的结果，就是 Markov 过程的关注所在 重点：掌握 Markov 过程研究问题的思路和方 法

磁盘由在圆盘状基表面附着磁记录介质 层构成。 由于其高存储容量、随机存取容易、迅 速等优点,已成为数字式记录、存储媒 体的主要形式。 记录密度与激光波长的关系: 激光光斑直径与波长的关系: D约与波长成正比

6.3介质的损耗 6.3.1介电损耗的形式 电介质在电场作用下,内部通过电流有以下内容: :电容电流:由样品的几何电容充电引起电流(位 移电流); :介质极化的建立引起电流:与极化松弛等有关; ÷:介质的电导(漏导)造成的电流:与自由电荷有关。 能量损耗:松弛极化损耗、电导损耗、离子变形和振动损耗