3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

◼ §2.1.1 半导体光源的物理基础 ◼ §2.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动 ◼ §2.1.3 LED的特性 ◼ §2.1.4 LED的特点及应用

3.5 放大电路的工作点稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 3.5.1 温度对工作点的影响 3.5.2 射极偏置电路 3.6 共集电极电路和共基极电路 • 电路分析 • 复合管 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 3.6.1 共集电极电路 3.6.2 共基极电路

3.7放大电路的频率响应 复习频率响应的基本概念 1为什么要研究频率响应 原因1:实测表明Av是f的函数,对不同频率信号的放大程度不同

一、电路组成 二、简化电路及习惯画法 三、简单工作原理 四、放大电路的静态和动态 五、直流通路和交流通路

3.4.1 BJT的小信号建模 3.4.2 共射极放大电路的小信号模型分析

1. H参数的引出 2. H参数小信号模型 3. 模型的简化 4. H参数的确定

1.为什么要研究频率响应 2. 频率响应的分析任务 3. AV随 f 变化的原因

1. 电路组成 2. 简化电路及习惯画法 3. 简单工作原理 4. 放大电路的静态和动态

3.7.1单时间常数RC电路的频率响应 RC低通电路的频率响应 RC高通电路的频率响应 3.7.2单极放大电路的高频响应标(主要是增 3.7.3单极放大电路的低频响应益)随信号频