1、 正文列选中：按住ＡＬＴ＋鼠标选择。 2、 插入“域”－－索引和目录（链接与引用），一次性插入目录，先插入索引与目录，RD。 全部插入所有文件的 RD 后，然后再插入 TOC

控制系统的校正方法通常采用的有两种： 1. 分析法。分析法实际上是一种试探的方法，可归结为： 原系统频率特性+校正装置频率特性=希望频率特性 G0 (jω) Gc (jω) G(jω) 从原有的系统频率特性出发，根据分析和经验，选取合 适的校正装置，使校正后的系统满足性能要求

为了寻求在瞬态下仍然有效的实时模拟模型，以便模拟连铸的全过程，基于任意拉格朗日-欧拉（ALE）方法和Lam-Bremhorst低雷诺数k-ε方程，建立了考虑湍流的传热和流体流动的实时模拟模型.该模型有效地实现了移动计算域下的动态网格扩展，可以模拟从拉坯到切割坯连铸全过程的温度场与流场的变化.作为实例，X70钢小方坯的模拟效果与实验验证吻合很好

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值

采用冷态转炉对转炉熔池局域流动和传质效果进行了研究.选用不同氧枪喷头、枪位和熔池形状进行实验,通过测量熔池各区域的电导率值来研究熔池局域传质和混匀效果.根据实验结果,分析了各因素对熔池传质、死区分布、混匀时间及熔池速度均匀性等的影响.研究结果发现:标准熔池(径深比为3.1)中,熔池死区主要位于熔池底部侧壁和环流中心处;浅型熔池(径深比为5.2)中,熔池死区主要位于熔池侧壁.适当增加氧枪喷孔倾角和熔池径深比,有利于增大熔池环流半径,改善熔池内部流动,减小熔池内部死区

研究了一类关于浓度的三维稳态晶体生长控制方程.这类问题由于带有远场条件,无法按常规方法给出其解析解或数值解.在复数域内利用分离变量法,得到了这类方程的级数形式的解析解,而最后的解是实数形式.结果表明,固液界面前沿浓度是指数震荡衰减的

由于冷轧过程的大张力轧制特点以及金属横向流动性与热轧有很大区别,因此在热轧中广泛应用的Shohet判别式不能很好应用于冷轧.在对冷轧大张力条件下的板形生成机理进行分析的基础上,提出能够更好适用于冷轧的基于屈曲失稳判据的断面形状可变域求解方法,该方法可以求解得到针对不同屈曲模态的产品断面形状可变域与来料断面形状允许范围.将该方法应用于国内某连轧机生产,给出其来料断面形状允许范围,比原有允许范围更符合现场实际且内容更为完善

定义3V是数域P上一个线性空间,f(a,B)是上一个二元函数,即对V 中任意两个向量a,B,根据f都唯一地对应于P中一个数f(a,B)如果f(a,) 有下列性质:

定义8实数域R上欧氏空间V与V称为同构的如果由V到V有一个双射

定理2设开区域G是一个单连通域,函数 P(x,y),Q(x,y)在G内具有一阶连续偏导数, 则曲线积分Pdx+dy在G内与路径无关 (或沿G内任意闭曲线的曲线积分为零)的充 要条件是=在G内恒成立