一、矢量线(力线) 矢量线的疏密表征矢量场的大小矢量线上每点的切向代表该处矢量场的方向 二、矢量场的散度 若矢量场()分布于空间中,在空间中取任意曲面S,定义:

采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能,发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的.采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性,使电流波动明显降低.此外,形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响,而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同

通过物理和数学模拟研究了一种新型中间包流控装置——阻流器对中间包内流场的影响.并通过同传统的单档墙、坝下中间包内流场的比较,得出阻流器可改变中间包内传统的流场,使钢液由长水口注入中间包后再返回自身,从而消除了中间包短流,发展了表面流,延长了滞止时间和平均停留时间,有利于中间包内夹杂物的去除.在较大的拉速下使用单档墙+单坝+阻流器的组合结构,效果更好.数学模型计算出的流场同水模型实验吻合较好

对交流电场作用下定向凝固组织的研究发现,交流电场对定向凝固组织有细化作用,且随电流的增大,其效果越明显,同时交流电场使凝固界面的溶质含量减小．通过对电场各种作用的分析发现：界面的化学势的减小使界面的稳定性增加；但界面能的增大、活度系数的减小以及界面溶质层内的震荡会使界面变薄,使界面的稳定性减小,从而破坏了胞晶的稳定生长,使柱状胞晶变成细碎的晶体．

4.1分波前干涉装置4.2光源宽度对干涉场衬比度的影响 4.3光场的空间相干性4.4薄膜干涉4.5迈克耳孙干涉仪 4.6非单色性对干涉场衬比度的影响4.7傅里叶变换光谱仪 4.8光场的时间相干性4.9多光束干涉法里布珀罗干涉仪 4.10激光4.11强度相关实验中子束干涉实验

3―1 结型场效应管 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―4 场效应管放大器

将双流函数法进行推广,设定出了对任意的孔型形状严格满足速度边界条件的速度场;并用若干相交平面代替入口刚塑性变界面使速度不连续条件得到满足;用罚函数法使体积不变条件得到满足;找到了一个用上界法模拟复杂孔型中金属三维变形的一般途径,提出了一个通用的速度场。以5#和2#角钢的切分孔轧制为例,进行了模拟计算和相应的物理模拟实验。求出了孔型的充满,变形区的形状,变形区内金属流线的形状,速度场,应变速率场,应力场以及轧制压力,前滑,延伸等参数。模拟计算值与实验值基本吻合。这种模拟复杂孔型中金属三维变形的一般方法,为CARD技术的进一步发展打下了基础

本文数值模拟了圆筒燃烧室内双股同心强旋流流场及其湍流参数的分布。计算中,对Kolmogorov-Prandtl旋涡粘性系数假定中的经验系数Cμ做了初步调试,认为Cμ对不同流场及同一流场中的不同点都有可能不同,而且Cμ应具有各向异性的特性。实验结果表明:数学模型与计算方法,对模拟轴对称强旋流场是可行的

3.6恒定电场 恒定电场:恒定电流(运动电荷)产生的电场。 一、恒定电场基本方程

场效应管是利用电场效应来控制电流大小， 与双极型晶体管不同，它是多子导电，输 入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: