为确定硅钢表面缺陷产生的工序,对硅钢裂纹处氧化圆点特性进行了实验研究.运用Gleeble1500模拟热轧裂纹连续降温过程,结果表明Q钢、W20钢热轧裂纹分别在1170℃和1160℃以上会产生细小氧化圆点.铸坯裂纹加热炉过程模拟发现其裂纹附近产生粗大的氧化圆点.能谱分析表明铸坯裂纹相对热轧裂纹来说存在明显的脱硅层,两种裂纹的氧化圆点在形貌、层厚以及氧化圆点附近脱硅性上存在较大差异,这种差别可作为判定硅钢缺陷生成工序的参考依据

7.1 基本概念 7.2 氧化还原方程式的配平 7.3 高温氧化还原反应的自发性及埃灵罕姆图 7.4 水溶液中氧化还原反应的自发性和电极电势 7.5 电势数据的图示法 7.6 影响氧化还原反应的动力学因素和氧化还原反应机理 The primary concepts of redox reactions Balancing redox equations Spontaneity of redox reactions at high temperature and the diagram of llingham Spontaneity of redox reactions in aqueous solution and electrode potential Diagrammatic representations of electrode potential Influence of dynamic factors on redox reactions and mechanism of redox reactions

异化金属还原菌通过络和剂、电子传递中间体、直接接触三种方式异化还原金属氧化矿.以Geobacter metallireducens还原铁氧化物为实验体系,利用微生物燃料电池考察了以上三种方式对异化还原铁氧化物的影响.结果表明,微生物异化还原铁氧化矿时,NTA,AQDS在初始阶段显著加速铁氧化物的还原,但也加速磁铁矿的生成,阻碍反应继续进行;直接接触方式起着重要作用,吸附形成的生物膜是一个关键因素,其形成是一个相对较长的过程.生物膜的形成阻碍电子传递中间体发挥作用

针对紫金山铜矿堆浸过程中,在辉铜矿和铜蓝等有用矿物浸出的同时,有黄铁矿被大量浸出,造成浸出液中Fe3+浓度过高的现状,研究了细菌浸出黄铁矿的氧化行为和机理,重点考察了Fe3+的化学氧化以及细菌浸出黄铁矿过程的影响因素.研究结果表明,在有菌条件下,pH值为1.6时,混合矿浸出初期,黄铁矿的浸出率仅为5%~8%;随着浸出时间的增加,氧化还原电位升高,浸出15d后,氧化还原电位上升到500mV以上时,黄铁矿的浸出率可达25%.说明氧化还原电位是细菌浸出黄铁矿过程的重要影响因素.机理研究表明,细菌浸出黄铁矿是以间接反应为主,细菌在黄铁矿表面的吸附对黄铁矿的浸出具有协同作用

第一节 氧化还原平衡 第二节 氧化还原反应进行的程度 第三节 氧化反应速度与影响因素 第四节 氧化还原滴定原理 第六节 氧化还原滴定法的应用

第一节 氧化还原平衡 第二节 氧化还原反应进行的程度 第三节 氧化反应速度与影响因素 第四节 氧化还原滴定原理 滴定过程 滴定突跃影响因素 根据条件电位判断滴定突跃范围 第六节 氧化还原滴定法的应用

7.1 氧化还原反应及平衡 7.2 氧化还原滴定基本原理 7.3 氧化还原滴定中的预处理 7.4 常用的氧化还原滴定法 7.5 氧化还原滴定结果的计算

采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能,发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的.采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性,使电流波动明显降低.此外,形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响,而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同

为研究铁闪锌矿氧化浸出机理,以人工合成铁闪锌矿的悬浮矿浆为研究对象,采用三电极体系对其在硫酸浸出过程中的电化学行为进行了研究.结果表明在铁闪锌矿浸出过程中有H2S中间产物生成;通氧、元素硫分散剂以及氯离子引入浸出体系均能明显促进铁闪锌矿的电化学氧化;随硫酸浓度升高,铁闪锌矿的电化学氧化不断加强而闪锌矿的电化学氧化受抑.与闪锌矿相比,铁闪锌矿更易发生电化学氧化.在铁闪锌矿硫酸浸出过程中,其电化学氧化作用不容忽视

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性