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SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

N型半导体中的主要载流子是电子,同时也有少量的空穴载流子,电子被称为多数载流子一一多子。 空穴被称为少数载流子一一少子。 P型半导体中的主要载流子是空穴,同时也有少量的电子载流子,空穴被称为多数载流子一一多子。 电子被称为少数载流子一一少子。 在热平衡下,半导体中的杂质电子,或价带中的电子通过吸收热能,激发到导带中(载流子的产生), 同时电子又可以回落到价带中和空穴发生复合(载流子的复合),最后达到平衡时,载流子的产生率 和复合率相等,电子和空穴的浓度有了一定的分布

提出了一种克服外界缓变物理量（如温度）对半导体型脉冲传感器影响的电压跟随比较法.与传统的电压直接比较法相比，该方法只跟随传感器触发的正弦波原始信号的变化趋势，与外界缓变物理量温度等的变化无关；然后整形成矩形彼，有效地消除了温度漂移的影响，提高了传感器的稳定性.此外，还分析了信号处理电路中各参数的选取及注意事项等

§1 PN结的基本物理概念 §2 PN结的电流电压特性 §3 PN结的电容效应 §4 PN结的隧道效应 §5 PN结的光生伏特效应

一、何謂半導體？ 二、半導體之分類 三、半導體之純度 四、半導體材料之結構 五、一般晶格所常用之術語 六、半導體材料之獲得？ 七、塊材與薄膜之關連

本课程是电子信息工程、通信工程、计算机及物理等专业本科生的专业基础课，本课程的主要任务是学习常用的半导体器件的结构、导电机制、伏安特性及其主要参数，在此基础上进一步学习各种电子电路的基本组成、工作原理和分析方法，使学生初步掌握电子电路的分析计算和设计方法，以便为学习数字电子技术、高频电路、通信电子线路和信号与系统等后续课程提供必要的基础理论知识。在学习本课程前学生需要具备工程数学、物理和电路分析等方面的知识

§3.1 基本原理 §3.2 直流IV特性 §3.3 晶体管模型 §3.4 频率特性 §3.5 击穿特性 §3.6 功率特性 §3.7 开关特性 §3.8 晶体管的设计 §3.9 异质结晶体管HBT

一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想载流子 定向运动,即漂移运动。 结论:在严格周期性势场(理想)中运动的 载流子在电场力的作用下将获得加速 度,其漂移速度应越来越大

1.3晶向、晶面和它们的标志 1.3.1晶向及晶向指数 1.晶向 通过晶格中任意两个格点 连一条直线称为晶列,晶列的 取向称为晶向,描写晶向的一 组数称为晶向指数(或晶列指数 过一格点可以有无数晶列