第一节 绪论 第二节 氧化还原反应 一、电极电位 二、条件电位及影响因素 三、氧化还原反应进行的程度 四、氧化还原反应的速度 第三节 氧化还原滴定 一、滴定曲线 二、指示剂 三、氧化还原预处理 第三节 氧化还原滴定法的应用 一、碘量法 二、KMnO4法 三、K2Cr2O7法 四、其他氧化还原方法

第一节 绪论 第二节 氧化还原反应 一、电极电位 二、条件电位及影响因素 三、氧化还原反应进行的程度 四、氧化还原反应的速度 第三节 氧化还原滴定 一、滴定曲线 二、指示剂 三、氧化还原预处理 第三节 氧化还原滴定法的应用 一、碘量法 二、KMnO4法 三、K2Cr2O7法 四、其他氧化还原方法

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氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上

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