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华北航天工业学院:《网络和现代通信技术基础(数据通信与计算机网络)》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五章 网络层
文档格式:PPT 文档大小:841KB 文档页数:23
了解广域网的概念及网络层的基本功能 掌握广域网提供的两种类型的服务:数据报(Datagram)和虚电路(Virtual Circuit) 掌握路由选择机制、路由选择算法 了解拥塞控制原理及拥塞控制策略
西安建筑科技大学:《技术经济学》课程教学资源(电子教案)前言
文档格式:DOC 文档大小:123.5KB 文档页数:3
一、课程性质、目的和任务 1.课程性质 本课程属于工商管理、工程管理等专业本科生的学科基础必修课之一。它是介于自然 和社会科学之间的边缘性科学,属于应用经济学的一个分支,其核心内容是一套技术经济 分析思想和方法,是人类提高技术实践活动效率的基本工具
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2002年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:99.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:104KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入( ) A.3 价元素 B.4 价元素
商职高专现代信息技术系列教材:《电路分析基础》第3章 单相正弦交流电路的基本知识(曾令琴)第3章
文档格式:PPT 文档大小:818.5KB 文档页数:22
3.1 正弦交流电路的基本概念 3.2 正弦量的有效值 3.3 交流电路中的常用元件
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