￾ 半导体载流子的有效质量 ￾ 杂质半导体 ￾ 热平衡载流子分布 ￾ 半导体的光吸收 ￾ 半导体界面特性 ￾ 典型半导体材料的能带结构 主要内容 学习提示 以下问题是难点，须认真学习和体会 ￾ 有效质量的物理意义 ￾ 杂质对半导体费米能级及导电性的影响 ￾ 半导体界面特性

提出了一种可以制备冶金结合界面双金属复合板带的水平连铸复合成形新工艺，其具有短流程、高效的特点。采用该工艺制备了截面尺寸为70 mm×24 mm（宽度×厚度）的铜铝复合板，获得了可行的制备参数，研究了所制备板坯的组织形貌和性能。结果表明，铜铝复合板制备成形过程中，会形成由金属间化合物和共晶相组成的复合界面层。铝液和铜板表面接触，发生固液转变形成（II）层：θ相。随着铜原子不断的向铝液中扩散，当铜原子含量达到一定程度，θ相发生固相转变形成（I）层：γ相。达到共晶温度时，发生共晶转变形成（III）层：α+θ共晶组织。其中I层和II层均为铜铝金属间化合物，是裂纹产生和扩展的主要区域，因此界面层厚度是决定结合强度的重要因素。通过调整工艺参数可以优化凝固过程中铜铝复合板内的温度场分布，进而控制复合界面层的形成过程，因此工艺参数之间的合理匹配是改善复合层组织结构和增大板坯结合强度的关键

1、复合材料的结构和性能 复合材料的结构通常是一个相为连续相,成为基体; 而另外一相是以独立的形态分布在整个连续相中的分散相, 它显著增强材料的性能,故常称为增强体。 多数情况下,分散相较基体硬,刚度和强度较基体大。 分散相可以是纤维及其编织物,也可以是颗粒状或弥散的 填料。 在基体和增强体之间存在着界面

第四章复合料 4.1概述复合材料按结构分类 4.2混合原理 4.3 聚合物基体 4.4 增强纤维 4.5 界面 Interface 4.6 树脂基复合材料 4.7 复合材料的加工 4.8 碳基复合材料 4.9 STRUCTURAL COMPOSITES

以醇盐水解-氨气氮化法在SiC颗粒表面包覆TiN,然后采用放电等离子体烧结制备出(SiC)TiN/Cu复合材料.结果表明:醇盐水解-氨气氮化法能够制备出TiN包覆SiC复合粉末,TiN包覆层均匀连续,TiN颗粒的粒径为30~80nm.TiN包覆层能够促进复合材料的致密化并改善界面结合.(SiC)TiN/Cu复合材料的电导率介于15.5~35.7 m·Ω-1·mm-2之间,并且随着SiC体积分数的增加而降低.TiN包覆层和基体中网络结构TiN的存在能够有效提高复合材料的电导率.复合材料的电导率较接近P.G模型的预测值

6.1 表面张力与温度的关系 6.2 表面形态对表面张力的影响 6.3 表面张力与相对分子质量的关系 6.4 表面张力与分子结构的关系 6.5 表面张力与内聚能密度 6.6 共聚和共混对表面张力的影响 6.7 固体聚合物表面张力的测定方法

扫描电镜(scanning electron microscope,sM可以研究 高分子多相体系的微观相分离结构,聚合物树脂粉料的颗粒形 态,泡沫聚合物的孔径与微孔分布,填充剂和增强材料在聚合 物基体中的分布情况与结合状况,高分子材料的表面、界面和 断口,粘合剂的粘结效果及聚合物涂料的成膜特性等。扫描电 镜之所以有如此广泛的用途是因为它有以下一些独特的优点:

第一节 液态结构与晶体凝固的条件 液态金属的特征 结晶的微观现象 结晶的宏观现象 金属结晶的基本条件 第二节 材料结晶时晶核的形成 THE FORMATION OF NUCLEUS AS MATERIALS CRYSTALLIZING 均匀形核 非均匀形核 第三节 材料结晶时晶核的长大 晶体长大的条件 液/固界面的构造 晶体长大机制 晶体长大形态 第四节 凝固理论的应用 铸件晶粒细化 单晶制备 定向凝固 非晶态金属的制备

第一节 液态结构与晶体凝固的条件 液态金属的特征 结晶的微观现象 结晶的宏观现象 金属结晶的基本条件 第二节 材料结晶时晶核的形成 THE FORMATION OF NUCLEUS AS MATERIALS CRYSTALLIZING 均匀形核 非均匀形核 第三节 材料结晶时晶核的长大 晶体长大的条件 液/固界面的构造 晶体长大机制 晶体长大形态 第四节 凝固理论的应用 铸件晶粒细化 单晶制备 定向凝固 非晶态金属的制备

绪论 . 3 第一章 晶体几何基础. 8 第二章 晶体化学基础. 23 第三章 晶体结构. 30 第四章 晶体结构缺陷. 36 第五章：熔体和非晶态固体 . 53 第六章：固体表面与界面 . 62 第七章：相平衡. 70 第八章：扩散. 119 第九章：相变. 131 第十章：固相反应. 145 第十一章：烧结. 153