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基于前驱体合成与氨气氮化两步法,通过对前驱体合成关键参数B源/N源比、分散剂种类、前驱体干燥方式进行调控,实现了大比表面积、少层氮化硼纳米片材料的制备。其优化条件为以硼酸为硼源,尿素为氮源,硼酸与尿素摩尔比为1∶30,甲醇和去离子水作为分散剂,利用真空冷冻干燥方式合成前驱体。将前驱体在氨气气氛下900 ℃保温3 h合成了氮化硼纳米片。利用X射线衍射测试、X射线光电子能谱测试、拉曼光谱测试、热重分析测试等对合成产物进行了物相和结构表征,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、氮气吸脱附曲线等对合成产物进行了形貌及比表面积表征。结果表明:合成的氮化硼为六方氮化硼纳米片(h-BNNSs),纯度高,形貌类石墨烯,层数为2~4层,厚度平均为1 nm,比表面积为871.8 m2·g?1,单次产物质量平均可达240 mg,合成产物平均产率可达96.7%。该方法简单易操作,实现了大比表面积少层氮化硼的制备,有助于氮化硼在各应用领域的研究,如氮化硼/石墨烯复合材料、纳米电子器件、污染物的吸附、储氢等
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§1.1 半导体材料及导电特性 §1.2 PN结原理 §1.3 晶体二极管及应用
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第10章存储器和可编程逻辑器件 一、半导体存储器 二、可编程逻辑器件
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一 陶瓷发展历程 二 电子陶瓷制备 三 电容陶瓷器件 四 压电陶瓷器件 五 微波陶瓷器件
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天津开放大学:《电气传动与调速系统》课程教学资源(教案讲义)常用电力电子开关器件及应用
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第8章光电式传感器 8.1光电器件 8.2光纤传感器 8.3红外传感器
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3.1 概述 3.1.1 可编程逻辑器件的发展历程 3.1.2 可编程逻辑器件的分类 3.2 简单PLD原理
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1.4.1 半导体器件的命名方法 1.4.2 半导体二极管 1.4.3 半导体三极管
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