北京大学：《近代物理实验 Modern Physics Laboratory》课程教案（独立实验）_9-2 用电容-电压法测量半导体中的杂质分布

一、PN结及半导体二极管 1、本征半导体和杂质半导体 2、PN结及其单向导电性 3、二极管的伏安特性及主要参数 4、二极管电路分析法

1、原子严格地周期性排列,晶体具有完整的晶格结构。 2、晶体中无杂质,无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动,形成允带和禁带—电 子能量只能处在允带中的能级上,禁带中无能级。由本征激发提供载流子一本征半导体——晶体具有完整的(完美的)晶格结构,无任何杂质和缺陷

2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体

3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体

一、半导体的导电特性 二、本征半导体 三、杂质半导体

一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应

1.1半导体的基础知 1.1.1本征半导体 1.1.2杂质半导体 1.1.3PN结

5.5半导体材料的电导 5.5.1半导体中的缺陷能级 实际晶体的缺陷: 原子在其平衡位置附近振动 材料含有杂质 存在点缺陷 极微量的杂质和缺陷,对材料的物理性能、化学 性能产生决定性的影响

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺