3.1.1压力容器常用钢材 3.1.2有色金属和非金属

1无电压力传感器 Nonelectric Pressure Sensors Sensors. Pressure Sensors. Nonelectric sensins devices 2金属腐蚀 Metal Corrosion 3印刷电路板的设计与制造 The Design and Manufactory of Printed Circuit Board

3.4 薄板的冲压成型 3.4.1 概述 3.4.2 分离工序 3.4.3 变形工序 3.4.4 冲模的分类和构造 3.4.5 冲压工艺过程的制定

第八章材料的塑性变形 第三章我们介绍了金属的铸态组织。铸态组织往往具有晶粒粗大、组织不均 匀、成分偏析以及材质不致密等缺陷,所以金属材料经冶炼浇注后大多数要进行 各种压力加工(如轧制、锻造、挤压、拉丝和冲压等),制成型材和工件。金属 材料经压力加工(塑性变形)后,不仅外形尺寸发生了改变,而且内部组织和性 能也会发生很大的变化。经塑性变形的金属材料绝大多数还要进行退火,退火又 会使金属材料的组织和性能发生与形变相反的变化,这个过程称为回复与再结 晶

2.1.1 质量力（体积力、长程力） 2.1 静止流体上的作用力 2.1.2 表面力（接触力、近程力） 2.2 流体的平衡微分方程及其积分 2.2.1欧拉平衡微分方程 2.2.2 平衡微分方程的积分 2.2.3 等压面 2.3.1 静力学基本方程 2.3 流体静力学基本方程 2.3.2 静止液体中压强计算和等压面 2.3.3 绝对压强、相对压强、真空度 2.3.4 流体静力学基本方程的几何意义 2.4 流体静压强的测量 2.4.1 静压强的单位 2.4.2 静压强的测量（液式、金属式） 2.5静止液体对平面壁的作用力 2.5.1 平面壁上的总压力 2.5.2 总压力的作用点（压力中心） 2.6静止液体作用于曲面壁上的总压力 2.6.1 总压力的大小、方向、作用点 2.6.2 浮力

实验一 金属罐藏容器质量检验 实验二 金属罐藏容器二重卷边结构的检验 实验三 金属罐藏容器密封性实验 实验四 食品水分活度的测定 实验五 食品冻结温度曲线的测定 实验六 罐头排气与真空度关系实验 实验七 加热杀菌时罐头中心温度、F值测定 实验八 加热杀菌时罐内压力测定 实验九 果胶胶凝强度的测定

总结讨论了熔锍及熔融金属中元素选择性氧化的行为,举出镍锍中Ni与S,铁液中Cr、V、Nb、Mn或P与C作为应用的实例。利用热力学分析提出氧化的转化温度的概念,并指出二步及一步计算该温度的方法。在排除新相生成的晶核能的条件下,氧化的转化温度与氧的存在形式(无论是气态O2,熔于金属液中的[O]或炉渣中的FeO)以及氧的压力或活度无关,而只决定于参加反应的物质及产物的本质及活度(压力)。同时,转化温度不是一成不变的温度,而是随着熔池组成的改变而不断地变化。降低气体氧化产物的分压将有助于降低氧化的转化温度。理论计算的转化温度可提供使熔池中一个元素的优先氧化而使另一元素保留不变的最佳条件。小型试验和工业上实践证明,转化温度的概念可以成功地控制吹炼操作,作到按意图进行选择性氧化。影响熔池内元素氧化顺序的动力学因素也作了简略的分析。对镍锍脘S,不锈钢脱C以及高碳锰铁降C的吹炼,熔池温度永选要高于相应熔池组成的转化温度。而对铁水脱Cr和铁水提V或Nb,熔池温度则应保持低于相应熔池组成的转化温度。P、C在铁水中的氧化顺序,除与转化温度有关外,还取决于熔渣组成以及CO承担的压力

在机械制造中,广泛采用轧制、锻造、冲击、冷压与冷镦等成形工艺,各 种压力加工方法都应使金属材料按预定的要求进行塑性变形,以使其内部的组织和结构发 生变化,从而达到不同的性能指标。塑性变形是强化金属的重要手段。变形后的金属在加 热时发生回复和再结晶,进一步影响工件最终的组织及性能。研究金属材料塑性变形及再 结晶过程,有助于深入理解变形加工过程中组织演变规律及各种力学性能变化的本质,在生 产实践中充分发挥金属材料的强度潜力,为确定合适的压力加工工艺和退火工艺提供依据

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料