4.1 概述 4.2 内部噪声的特点和来源 4.2.1 内部噪声特点 4.2.2 电阻热噪声与天线热噪声 4.2.3 晶体管噪声 4.3 噪声表达式和计算方法 4.3.1 等效噪声带宽 4.3.2 噪声系数 4.3.3 噪声温度 4.3.4 多级放大器噪声系数 4.4 减小噪声的措施

5.1 非线性电路特性及分析方法 5.1.1 非线性元件特性 5.1.2 非线性电路分析方法 5.2 线性时变参量 5.2.1 时变跨导电路 5.2.2 模拟乘法器 5.2.3 开关函数分析法 5.3 变频电路 5.3.1 指标 5.3.2 晶体管混频器 5.3.3 二极管混频器 5.3.4 差分对混频和模拟乘法器 5.4 混频器干扰

1.验证单相桥式整流及加电容滤波电路中输出直流电压与输入交流电压之间的关系，并观察它们的波形。 2.学习测量直流稳压电流的主要技术指标。 3.学习集成稳压块的使用。 4.练习示波器和晶体管毫伏表的使用

4.1 概述 4.2 直流伺服电动机的构成 4.3 直流电机工作原理 4.4 直流伺服电动机的控制方式 4.5 直流电动机单闭环调速系统 4.6 直流开环调速系统 4.7 单闭环直流调速系统 4.8 晶体管脉宽调制(PWM)直流调速系统

综述了多晶卤化物钙钛矿薄膜的局限性, 卤化物钙钛矿量子点的基本光学性质和制备方法, 以及在光电探测器方面的器件结构研究进展, 并重点介绍了应用在0D-2D混合维度异质结基光电晶体管器件的突破, 包括界面载流子行为和高性能光探测器的构建.最后, 总结了卤化物钙钛矿量子点作为未来商业化应用的光电子器件和电子器件的候选材料所面临的主要问题和挑战, 譬如化学不稳定性、铅毒性问题、量子点与其他材料间界面高效电荷传输等问题, 并提出了解决思路和方法.这为设计和推进高性能、高稳定性卤化物钙钛矿量子点基光电功能化器件的商业化应用指明了方向

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

§5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应

§ 1.1 半导体的基础知识 § 1.2 半导体二极管 § 1.3双极型晶体管 § 1.4场效应管

重点：功率放大电路的组成原则,各种功放的电路特点和优缺点,OCL电路的组成、工作原理、输出功率和效率的估算及晶体管的选择。难点：因“大信号、大功率”,使得功率放大电路在电路的组成原则、分析方法、主要参数等方面和小信号放大电路的不同,成为初学者学习的难点。所以,在本章开始就要引导学生深入了解对功率放大电路的基本要求,从这些基本要求出发来阐明本章的重点内容

第 1 章 电路分析基础 第 2 章 电路的暂态分析 第 3 章 交流电路 第 4 章 二极管及其应用 第 5 章 晶体管及其基本放大电路 第 6 章 集成运算放大器 第 7 章 直流稳压电源 第 8 章 电力电子器件及其应用