21.1脉冲信号 21.2晶体管的开关作用 21.3分立元件门电路 21.4TTL门电路 21.5MOS门电路 21.6逻辑代数 21.7组合逻辑电路的分析与综合 21.8加法器 21.9编码器 21.10译码器和数字显示 21.10数据分配器和数据选择器 21.12应用举例

本章讨论的问题:1.为什么要讨论频率响应?如何制定一个RC网络的频率响应?如何 画出频率响应曲线? 2晶体管与场效应管的h参数等效模型在高频下还适应吗?为什么?3什么是放大电路的通频带? 哪些因素影响通频带?如何确定放大电路的通频带?4如果放大电路的频率响应,应该怎么办?

1、晶体管放大器和场效应管放大器的 静态分析和动态分析方法(图解分析法 和微变等效电路分析法)。 2、晶体三极管放大电路三种组态的电 路结构与工作原理。 本章难点: 放大电路的图解分析法和微变等效电路 分析法

第一节M管的串、并联特性 晶体管的驱动能力是用其导电因子B来表示的,值越大,其驱动能力越强。单个管 子是如此,对于多个管子的串、并情况下,其等效导电因子应如何推导?下面我们来具体 分析一下: 一、两管串联: 设:V相同,工作在线性区

§1.8.1 基本指标 §1.8.2 功率放大器设计原则 §2.1微波混频器件 §2.2肖特基势垒二极管 §2.3非线性电阻混频原理 §2.4微波混频器电路

5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应 5.3 场效应管的高频等效模型 5.6 集成运放的频率响应和频率补偿

本章纲要: 1.被动组件电路仿真与分析 2.RC电路仿真与分析 3.RLc电路仿真与分析 4.整流电路仿真与分析 5.LED电路仿真与分析 6.基本晶体管电路仿真与分析 7.无稳多谐振荡电路仿真与分析 8.高通电路模拟与分析 9.555电路仿真与分析 10.基本逻辑闸仿真与分析 11.正反器模拟与分析 12.4017模拟与分析

4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 4.1.2 JFET伏安特性曲线 4.1.3 绝缘栅场效应管

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、MOS晶体管模型 二、组合逻辑基本结构 三、逻辑单元的优化设计 四、组合单元的规模约束问题 五、时序逻辑的时间关系问题