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安徽理工大学:《土质学与土力学》课程教学资源(PPT课件讲稿)第六章 土的压缩性和地基沉降计算
文档格式:PPT 文档大小:4.29MB 文档页数:49
★概述 ★土的压缩性 ★地基沉降量计算 ★饱和土体渗流固结理论
《土力学》课程电子教案(PPT课件讲稿)第四章 土的压缩性和地基沉降计算
文档格式:PPT 文档大小:5.13MB 文档页数:36
4.1土的压缩性 4.2地基最终沉降量 4.3饱和土渗流固结理论 4.4建筑物沉降观测与地基容许变形
氢对金属玻璃Fe39Ni39Si8B12Mn2磁性的影响
文档格式:PDF 文档大小:487.49KB 文档页数:5
使用大角转动张力磁化法研究了金属玻璃Fe39Ni39Si8B12Mn2渗氢后时效过程中磁化曲线和饱和磁致伸缩系数的变化。结果表明:含氢的Fe39Ni39Si8B12Mn2金属玻璃饱和磁化强度下降,而各向异性常数增加,相应饱和磁伸系数λs减小
Fe83Ga17合金热处理过程中的磁致伸缩性能和结构分析
文档格式:PDF 文档大小:145.99KB 文档页数:3
实验研究了热处理对〈110〉取向多晶Fe83Ga17合金磁致伸缩性能的影响.发现Fe83Ga17经过淬火处理后,饱和磁致伸缩应变明显增大.在25MPa预压力作用下,饱和磁致伸缩应变超过了300×10-6.中子衍射和差热分析实验表明,Fe83Ga17合金在炉冷过程中存在相结构变化,结构变化导致合金磁致伸缩应变的改变,淬火处理能够抑制合金中DO3相的形成,从而使Fe83Ga17合金的磁致伸缩应变增大
海水温度对深海用环氧涂层防护性能的影响
文档格式:PDF 文档大小:701.57KB 文档页数:5
采用电化学阻抗谱(EIS)技术,研究了环氧重防腐涂层在不同温度海水中的腐蚀电化学行为.结果表明,随着海水温度的升高,涂层体系的涂层电容值的升高和涂层电阻值的降低均加快,说明海水温度的升高,加速了涂层防护性能的下降,加快了基体金属的腐蚀.浸泡初期,在不同温度的海水中,水在涂层中的扩散均符合Fick扩散第二定律,扩散活化能为49.7kJ·mol-1.随着海水温度的升高,涂层中水的扩散系数增大,涂层吸水达到饱和的时间缩短,但饱和吸水量变化不大
岩石低温单轴压缩力学特性
文档格式:PDF 文档大小:401.49KB 文档页数:5
以非线性热弹性理论为基础,建立了考虑岩石冰胀效应的变物性本构方程,给出了干燥低温和饱和冻结状态下单轴压缩强度和力学特性参数随温度的变化关系.借助花岗岩在两种状态下的压缩试验结果,探讨了低温花岗岩的单轴压缩力学特性.饱和冻结状态下的抗压强度大于干燥低温状态的抗压强度,其相差量随着温度降低有增加趋势;在同种状态下抗压强度随温度降低呈增长趋势,增长率逐渐减小.低温附加强度主要由岩石基质热力效应所贡献,而由岩石孔隙冰胀效应引起的附加强度相对较小.花岗岩在干燥低温和饱和冻结状态下,变形模量均随温度的降低呈增大趋势,而泊松比变化相对较小
钢铁企业能源消耗与CO2减排关系
文档格式:PDF 文档大小:679.87KB 文档页数:8
建立了钢铁企业长流程CO2过程排放模型,给出总排放和工序排放的计算方法.计算发现:国内某800万t产量规模的典型钢铁企业CO2总排放在2007年达到1561.64万t,吨钢排放1.85t CO2;工序排放从大到小依次为炼铁、焦化、烧结、轧钢、炼钢、熔剂焙烧和球团工序,其中炼铁和焦化工序排放分别占总排放的58.83%和11.25%.为了评价钢铁企业能源消耗和CO2减排关系,提出钢铁企业CO2综合排放因子和能耗碳饱和指数评价方法.研究表明,为了减少CO2排放,钢铁企业不仅需要降低总体能耗,还需要降低能耗的碳饱和指数,能耗碳饱和指数与能源结构相关,能源结构中CO2总影响系数大的能源种类消耗量越大(例如焦炭),碳饱和指数越高,越不利于CO2的减排.这说明实现钢铁生产的生态园区化、优化能源结构以及加强钢铁生产的能源转换功能对钢铁企业减排有显著作用
《基础有机化学》课程教学资源(教案讲义,第三版)化学键
文档格式:DOC 文档大小:19KB 文档页数:1
1 三中心两电子键:采用三个原子共用一对电子的方式成键,称为三中心两电子键。 2 化学键:将分子中的原子结合在一起的作用力称为化学键。 3 共价键:两个或多个原子通过共用电子对而产生的一种化学键称为共价键。电负性相差在 0~0.6 个单位之间形成共价键;电负性相差在 0.6~1.7 个单位之间的形成极性共价键。共价键有方向性和饱和性
《模拟电子电路》课程PPT教学课件:第二章 双极型晶体管及其放大电路(2/5)
文档格式:PPT 文档大小:832KB 文档页数:56
由晶体管的伏安特性曲线可知, 晶体管是一种复杂的非线性器件。在直 流工作时,其非线性主要表现为三种截 然不同的工作状态,即放大、截止和饱 和。在实际应用中,根据实现的功能不 同,可通过外电路将晶体管偏置在某一 规定状态。因此,在晶体管应用电路分 析中,一个首要问题,便是晶体管工作 状态分析以及直流电路计算
《计算机电路基础》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二章 半导体基本器件
文档格式:PPT 文档大小:3.53MB 文档页数:40
第二章半导体基本器件 2.1半导体二极管 PN结的单向导电原理,二极管的伏安特性 2.2半导体三极管 (1)三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和区等概念。 (2三极管共发射极电流放大系数的概念 (3)三极管开关电路工作状态的分析方法 2.3MOS场效应管 (1)MOS场效应管的分类及符号 (2)增强型NMOS管的特性曲线
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