在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

2.正定二次型: 正惯性指数等于变元个数的实二次型称为正定二次型: 正定二次型的(实对称)矩阵称为正定矩阵 设A=(an)为n阶实对称矩阵,称A的r阶子式

一、光化学烟雾的特征和化学机理,一次污染物和二次污染物,洛杉矶的特点。 二、伦敦型烟雾的特征,一次污染物和二次污染物,伦敦的特征。 三、酸雨的定义及其危害,主要的酸及其前体物,世界及中国主要酸雨区

采用硫印法,X光透射法、大样电解法和金相法,对钢包、中间包和连铸坯中的夹杂物进行了系统调查研究。对浇注过程中夹杂物类型、数量、组成和分布以及二次氧化进行了讨论。所得结果,对改进生产操作和提高铸坯纯净度具有指导意义

共轭曲面的综合曲率是啮合理的重要内内容,是接触应力计算的重要依据。本文根据综合曲率与平均曲率的关系,使用函数矩阵及其导数,找到了曲面族函数n阶导数的矩陈表达式及其对坐标变换的不变量,得到了一次包络和二次包络综合曲率的显式表示。在显式中曲面族函数的各阶导数,能分出与曲面形状无关的系数矩阵与二次型,可预先算好,从而使一次包络与二次包络的综合曲率,都可以在两个坐标系中进计算

本文通过分析线性微分算子A的特征,应用列紧算子半群的性质和毕卡达定理,证明了二次性能指标泛函下一维扩散过程混合线性最优控制的存在性,参照文献具体给出了最优控制律;并且就文献所讨论的结果,作为两种特殊情况进行了验证

利用电子显微镜研究了近等原子比TiNi合金及Fe-Ni-V-C合金中的位移型相变。研究表明:应力(包括内应力)明显地影响点阵的稳定性。张应力有利于与R相及马氏体相形核有关的软模。证实了电子衍射谱上漫散射条纹的出现是由于具有〈111〉极化的声子模软化。R相形核于Ti11Ni14处,其规则外形是畸变能与界面能的综合效果。Fe-Ni-V-C合金中的特殊位错组态-在长环形位错内塞积着较高密度的短位错列-是蝶状马氏体的核胚。此类位错组态提供了马氏体相变所必需的二次切变

Co对易磨削(1%V)的超硬型W-Wo和Mo系高速钢性能影响的研究表明,随Co含量的提高,二次硬度上升,3%-5%Co还可提高钢的强韧性,8%Co则有明显的脆化作用。新的低Co超硬高速钢Co3N在硬度、红硬性、强度、韧性和可磨削性诸方面皆达到M42的水平

一、 求离散型分布 例 1 一袋内装有 5 个白球，3 个红球.第一次从袋中任意取一个球不放回；第二次又从袋中任取两个球

利用加压水溶液法合成了黄铁矿型二硫化铁,研究了反应压力和溶液pH对产物中二硫化铁含量的影响,给出了合成反应的可能机理,测定了二硫化铁活性材料的利用率