随着半导体电阻在工业中的广泛应用，我们有必要对它的温度特性进行研究。热敏电阻是阻值随温度变化非常敏感的一种半导体电阻，它有正温度系数（PTC）和负温度系数(NTC)两种。正温度系数热敏电阻的电阻率随着温度的升高而升高；负温度系数热敏电阻的电阻率随着温度的升高而下降（一般是按指数规律）。金属的电阻率则是随温度的升高缓慢上升，当温度变化不大时，电阻率与温度有近似线性关系。热敏电阻对温度的反应要比金属电阻灵敏得多，热敏电阻的体积可以做得很小，用它制成的半导体温度计已广泛应用在自动控制和科学仪器中

一、半导体与数字集成电路： 1、1947年晶体管发明引起了电子学的一次革命，晶体管是约翰·巴丁、沃尔特·布雷登和威廉·肖克莱共同发明，该发明促成了计算机、通信等方面的飞速发展。鉴于它的重要价值，这些人共同获得了1956年的诺贝尔物理学奖

一个能带中最高能级与最低能级之间 的间隔一般不超过 的数量级 , 由 于原子数 的数量级为 ,所以一 个能带中相邻能级间间隔约为

上一章建立在量子理论基础上的金属自由电子理论，虽然取得了较大成功，能够解 释金属电子比热、热电子发射等物理问题，但仍有不少物理性质，如有些金属正的霍耳 系数，固体分为导体、半导体和绝缘体的物理本质，以及部份金属电导率有各向异性等， 是这个理论无法解释的

所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产 生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔 实验目的 发现的 实验原理 根据霍尔效应做成的霍尔器件,广泛应用于传感和开关设备

在许多情况下，材料的导电性能比力学 性能还重要。 导电材料、电阻材料、电热材料、半导体 材料、超导材料和绝缘材料等都是以材料 的导电性能为基础的

元素周期表中第 I 族碱金属元素（Li、Na、K、Rb、Cs）与第 VII 族的卤素元素（F、Cl、Br、I）化 合物（如 NaCl， CsCl，晶体结构如图 XCH001_009_01 和 XCH001_010 所示）所组成的晶体是典 型的离子晶体，半导体材料如 CdS、ZnS 等亦可以看成是离子晶体

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

通过本章学习，将能够： 1. 解释金属化； 2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用； 3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战； 4. 叙述溅射的优点和缺点； 5. 描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用； 6. 描述金属CVD的优点和应用； 7. 解释铜电镀的基础； 8. 描述双大马士革法的工艺流程