4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

§14.1 黑体辐射 普朗克量子假说 §14.2 光的量子性 §14.3 玻尔的氢原子理论 §14.4 粒子的波动性 §14.5 测不准关系 §14.6 波函数 薛定谔方程 §14.7 电子自旋 原子的壳层结构

15.1 量子物理学的诞生——普朗克量子假设 15.2 光电效应 爱因斯坦光子理论 15.3 康普顿效应及光子理论的解释 15.4 氢原子光谱 玻尔的氢原子理论 15.5 微观粒子的波粒二象性 不确定关系 15.6 波函数 一维定态薛定谔方程 15.7 氢原子的量子力学描述 电子自旋 15.8 原子的电子壳层结构

７.1 离子键理论 ７.2 化学键参数与分子的物理性质 ７.3 共价键理论之一 ７.4 价健理论 ７.5 价层电子对排斥模型 ７.6 分子轨道法 ７.7 金属键理论 ７.8 分子间力与氢键

4.1 液流边界层及分离现象 4.2 水流阻力与水流能量损失的物理概念 4.3 水流内部能量的传递和转化 4.4 均匀沿程水头损失计算的一般表达式 4.5 沿程阻力系数和谢才系数的确定 4.6 局部水头损失的计算

1. Put forward problem 3.Sensitivity mineral 2.Cement and cemented type 4.Evaluation method of sensitivity

7.1 文件系统的概念 7.2 文件的逻辑结构与存取方法 7.3 文件的物理结构与存储设备 7.4 文件存储空间管理 7.5 文件目录管理 7.6 文件存取控制 7.7 文件的使用 7.8 文件系统的层次模型

1．碱金属原子的 Hamiltonian 碱金属原子有一个价电子，它在原子实（原子核加上内层满壳电子）的影响下运动，所受到的势场 可以用一个屏蔽 Coulomb 场 V r( ) 来描写

以酚醛树脂为基体,加入B4C作为改性填料制备出高温粘结剂,并对Si3N4陶瓷进行粘接。在300~800℃温度范围内对Si3N4陶瓷粘接试样进行热处理,并测试了不同温度热处理后的室温剪切强度。结果表明,经过700~800℃热处理后,粘结剂表现出较为理想的粘接性能,剪切强度测试结果为Si3N4陶瓷基体破坏。利用扫描电镜研究了粘接试样的断面形貌及胶层结构特征。研究表明,在高温热处理过程中,B4C改性填料发生了复杂的物理、化学变化,通过B4C与树脂挥发分之间的改性反应,有效提高了酚醛树脂热解后的残炭值,进而改善了粘接胶层结构的高温稳定性;纤维状物质的形成与B2O3颗粒的细化,有助于提高粘接胶层的连接强度

对SnAgCu合金粉末的真空蒸镀涂层硬脂酸的成膜机理进行了研究.采用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对涂覆后合金粉末的形貌及结构进行观测,采用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)对涂覆后粉末的透射吸收谱和光电子能量进行测试.结果表明:硬脂酸在合金粉末表面形成一层均匀致密、厚度为5~10 nm的薄膜,硬脂酸涂层SnAgCu合金粉末的行为属于物理吸附行为,其生长方式遵循岛状生长机理模式,其过程实质是一个气-固转换、晶体生长的过程