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《西方经济学》收入分配与社会消费
文档格式:PPT 文档大小:74KB 文档页数:4
收入分配与社会消费 据研究表明,低收入中等收入和高收入阶层拥有 不同的的消费倾向和储蓄倾向。一般来说,低收入 阶层的消费支出占收入的比重高于中等收入阶层 而中等收入阶层又高于高等收入阶层。因此,在同 样收入的国家,如果收入分配不同,消费倾向会大 相径庭:收入分配越不公平,整个社会的消费倾向 小,反之越大
安徽理工大学:《有机化学》课程教学资源(教材讲义)第十一章 酚和醌
文档格式:DOC 文档大小:114KB 文档页数:6
(一)酚 11.1酚的分类和命名 根据羟基所连芳环的不同,酚类可分为苯酚、萘酚、蒽酚等。根据羟基的数目,酚类又 可分为一元酚、二元酚和多元酚等。 酚的命名是根据羟基所连芳环的名称叫做“某酚,芳环上的烷基、烷氧基、卤原子、 氨基、硝基等作为取代基,若芳环上连有羧基、磺酸基、羰基、氰基等,则酚羟基作为取 代基
《有机化学》课程教学资源(讲义)第十一章 酚和醌
文档格式:DOC 文档大小:182KB 文档页数:10
(一)酚 一、酚的分类和命名 根据羟基所连芳环的不同,酚类可分为苯酚、萘酚、蒽酚等。根据羟基的数目,酚类又可分为一元酚、二元酚和多元酚等。酚的命名是根据羟基所连芳环的名称叫做“某酚”,芳环上的烷基、烷氧基、卤原子、氨基、硝基等作为取代基,若芳环上连有羧基、磺酸基、羰基、氰基等,则酚羟基作为取代基
南京航空航天大学:《电路分析基础》第二章 电路的等效变换
文档格式:PDF 文档大小:96.63KB 文档页数:16
等效二端网络的定义 电阻串并联电路 实际电源的两种模型及其等效变换 运用等效变换简化含受控源的电路 非串 并联电路的简化
《材料力学》课程PPT教学课件:第三章 扭转
文档格式:PPT 文档大小:2.48MB 文档页数:49
3–1 概述 3–2 传动轴的外力偶矩· 扭矩及扭矩图 3–3 薄壁圆筒的扭转 3–4 等直圆杆在扭转时的应力· 强度分析 3–5 等直圆杆在扭转时的变形· 刚度条件 3–6 等直圆杆的扭转超静定问题 3–7 等直圆杆在扭转时的应变能
辽宁工业大学:《材料力学》课程教学资源(PPT课件讲稿)第三章 扭转
文档格式:PPT 文档大小:2.48MB 文档页数:49
第三章扭转 3-1概述 3-2传动轴的外力偶矩·扭矩及扭矩图 3-3薄壁圆筒的扭转 3-4等直圆杆在扭转时的应力·强度分析 3-5等直圆杆在扭转时的变形·刚度条件 3-6等直圆杆的扭转超静定问题 3-7等直圆杆在扭转时的应变能
大一下学期分析:《电路》课程教学资源(课件讲稿)第2章 电阻电路的等效变换
文档格式:PDF 文档大小:1.07MB 文档页数:39
本章重点 2.1引言 2.2电路的等效变换 2.3电阻的串联和并联 2.4电阻的Y形连接和△形连接的等效变换 2.5电压源、电流源的串联和并联 2.6实际电源的两种模型及其等效变换 2.7输入电阻
《芯片制造半导体工艺实用教程》教学课件(PPT讲稿)第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
等效循环电池组剩余使用寿命预测
文档格式:PDF 文档大小:823.54KB 文档页数:8
电动汽车以零污染、零排放等优点成为新能源汽车中最具有发展潜力的对象,锂离子电池作为其动力来源,科学准确地预测其剩余使用寿命是决定电动汽车性能的重要因素。本文研究等效循环电池组在等效循环工况、不同循环次数时,锂离子电池电压随着放电时间的变化曲线。通过分析不同循环次数下导函数在等效特征点处的斜率变化规律,建立锂离子电池等效循环工况下的寿命退化曲线。选取NASA等效循环电池组和自测JZ等效循环电池组,将放电初期和放电后期曲线与特定斜率直线交点作为等效循环寿命预测的等效特征点,根据这两组特征点分别建立退化模型Mini和Mlat。最后选取等效循环电池组内的其他电池进行锂离子电池等效循环寿命预测的验证。通过锂离子电池测试数据集验证其预测精度较高,稳定性较好,具有较强的应用价值
西安交通大学:《芯片制造-半导体工艺实用教程》 第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
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