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《数字电路基础》课程教学资源(PPT课件)第一章 基本概念
文档格式:PPT 文档大小:1.67MB 文档页数:52
逻辑(A&F):事物的因果关系,即输入、输出之间变化的因果关系。 逻辑事件(A、F):有且仅有两个相互对立的状态,且必定出现两个状态中的一个
东南大学:《现代微机原理与接口技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)综合练习(杨全胜)
文档格式:PPT 文档大小:294KB 文档页数:36
例1假设有一个4×4的矩阵键盘通过并行接口 芯片8255与微机相连。8255的A口作为输出 口,与键盘的行线相连;B口为输入口,与 键盘列线相连
南京邮电大学:《电路分析》第四章(4-1) 线性和叠加定理
文档格式:PPT 文档大小:1.07MB 文档页数:97
线性网络:由独立电源和线性元件组成。 具有线性性质: 1.齐次性:单个激励(独立源)作用时,响应与激励成正比。 2.可加性:多个激励同时作用时,总响应等于每个激励单独作用(其余激励置零)时所产生的响应分量的代数和
浙江大学:《通信与计算机网络》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十二章 网络规划、设计和实现
文档格式:PPT 文档大小:87.5KB 文档页数:35
成功合理地实现一个计算机网络或对现有 的计算机网络进行大规模的扩展是许多企 业应用计算机网络进行发展的重要前提。 网络规划、设计将帮助设计者合理地设计 安装、实现网络,帮助设计者避免因为考 虑不周或缺乏准备而导致网络不满足应用 需求或网络建设失控
《芯片制造半导体工艺实用教程》教学课件(PPT讲稿)第七章 氧化
文档格式:PPT 文档大小:1.98MB 文档页数:40
概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备
《芯片制造半导体工艺实用教程》教学课件(PPT讲稿)第一章 半导体工业介绍
文档格式:PPT 文档大小:1.73MB 文档页数:13
微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展
桂林电子科技大学:《信号与系统》课程教学课件(PPT讲稿)信号习题
文档格式:PPT 文档大小:702KB 文档页数:28
1列出下图所示电路的状态方程。 解:选取两个独立电感中的电流及电参尺mAH 的电压为状态变量入2入3
《信号与系统分析》课程电子教案(PPT课件)第6章 离散时间信号与系统的频域分析
文档格式:PPT 文档大小:1.76MB 文档页数:40
本章将采用与讨论连续时间完全相同 的思想方法,来研究离散时间周期信号 与非周期信号的频域分解问题。 DFS与CFS之间既有许多类似之处,也有 一些重大差别:主要是DFS是一个有限项 级数,具有周期性
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2002年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:526.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
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