第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立

1. IR 脂肪族硝基化合物:1560cm-1,1390cm-1 芳香族硝基化合物:1530cm-1,1340cm-1 -NO2与芳环共轭使吸收峰向低波数移动。 2. 1HNMR -NO2为强吸电子基,使苯环上质子的化学位移向低场移动。 一、芳香族硝基化合物的反应

分别在空气和N2中高温烧结得到了不同掺杂浓度的Fe3O4:Zn粉末.X射线衍射(XRD)结果表明,空气中烧结使得样品过氧化,生成大量的α-Fe2O3相,而N2环境下烧结可以获得较纯的ZnxFe3-xO4相.Zn2+在反尖晶石结构中A位的替位掺杂,影响到B位Fe阳离子的价态分布,电子输运依然保持了电子变程跳跃的传导机制.磁性测量结果显示低浓度的Zn2+掺杂对Fe阳离子之间的超交换耦合作用产生影响,也使负的磁致电阻的数值有所改善

 导言  跨阻放大器的并联-并联反馈  电流放大器的并联-串联反馈  低噪声和高频的跨阻放大器

1.指出下列化合物能量最低的电子跃迁的类型

第1 章 ADS集成开发环境及EasyJTAG 仿真器应用 1.1 ADS 集成开发环境的组成 1.1.1 CodeWarrior IDE 简介 1.1.2 AXD 调试器简介 1.2 工程的编辑 1.2.1 建立工程 1.2.2 建立文件 1.2.3 添加文件到工程. 1.2.4 编译连接工程. 1.2.5 打开旧工程. 1.3 工程的调试 1.3.1 选择调试目标 1.3.2调试工具条 1.4 LPC2200 系列ARM7 微控制器工程模板 1.4.1 为ADS1.2 增加LPC2200 专用工程模板 1.4.2 使用LPC2200 专用工程模板建立工程 1.4.3 模板适用范围 1.5 EasyJTAG 仿真器的安装与应用 1.5.1 安装EasyJTAG 仿真器 1.5.2 使用EasyJTAG 仿真器 1.6 固化程序 1.6.1 片内FLASH 的固化 1.6.2 片外FLASH 的固化 第2章 基础实验 2.1 外部中断实验 2.2 外部存储器接口实验 2.3 定时器实验 2.4 UART 实验 2.5 I 2 C 接口实验 2.6 SPI 接口实验 2.7 RTC 实验 2.8 低功耗实验 第3章 基于μC/OS-II 的基础实验 3.1 SPI 总线的LED 控制应用. 3.2 I 2 C 总线的EEPROM 应用 C 总线的ZLG7290 应用 3.4 LPC2000 系列微控制器MODEM 接口软件包 3.4.1 概述 3.4.2 软件包的使用 3.4.3 设计原理

利用CMT5105电子万能试验机和HTM 16020电液伺服高速试验机对超高强热成形钢进行拉伸试验,应变速率范围为10-3~103 s-1,模拟热成形零件在不同应变速率下的碰撞情况.结果表明:在低应变速率阶段(10-3~10-1 s-1)实验钢的应变速率敏感性不高,随应变速率的升高,实验钢的强度和延伸率变化不大;在高应变速率阶段(100~103 s-1)实验钢具有高的应变速率敏感性,随应变速率的升高,实验钢的强度和延伸率都呈增大的趋势,并且抗拉强度的应变速率敏感性要大于屈服强度.这主要是由于在高应变速率阶段拉伸时产生的绝热温升现象和应变硬化现象共同作用造成的.实验钢颈缩后的延伸率随应变速率的增大而减小,主要是由于高应变速率下马氏体局部变形不均匀造成的.实验钢吸收冲击功的能力随应变速率的升高而增大,实验钢达到均匀延伸率时吸收冲击功的大小对应变速率更敏感.与低应变速率阶段相比,实验钢在高应变速率阶段的断口韧窝的平均直径更小,韧窝的深度更深,这与高应变速率阶段部分马氏体晶粒的碎化有关.通过扫描电镜和透射电镜观察发现,在高应变速率拉伸时晶粒有明显的拉长趋势,并且在应力集中的地方有一些微空洞的存在,应变速率为103 s-1时部分区域有碎化的现象

一､传输门TG 1､电路结构 CMOSFF具有功耗低､抗干扰能力强､制造工艺简单､集成度高和成本低等优点

一､传输门TG 1､电路结构 CMOSFF具有功耗低､抗干扰能力强､制造工艺简单､集成度高和成本低等优点

在原子结构中,电子分布符合能量最 低原则。基态是原子最稳定状态。 但是自然界中却发现,绝大多数元素 不以原子形式存在,而以化合物形 式存在,并且的原子数总是符合一 定比例的结合Na-Cl,H2O 说明化合物中的元素之间,存在着内 在地关系;说明原子并非是最稳定 的状态