元素周期表中第 I 族碱金属元素（Li、Na、K、Rb、Cs）与第 VII 族的卤素元素（F、Cl、Br、I）化 合物（如 NaCl， CsCl，晶体结构如图 XCH001_009_01 和 XCH001_010 所示）所组成的晶体是典 型的离子晶体，半导体材料如 CdS、ZnS 等亦可以看成是离子晶体

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

通过本章学习，将能够： 1. 解释金属化； 2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用； 3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战； 4. 叙述溅射的优点和缺点； 5. 描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用； 6. 描述金属CVD的优点和应用； 7. 解释铜电镀的基础； 8. 描述双大马士革法的工艺流程

教学内容分解电压,极化作用,极化曲线电化学极化与氢的超电势,金属 的析出,金属离子的分离和共同沉积,电解还原与氧化;金属的腐 蚀与防腐,化学电源 电化学基础研究的前沿领域:表面(界面)电化学,电催化, 生物电化学,电化学传感器,半导体(光)电化学,谱学电化学 化学修饰电极 教学目的:掌握电化动力学的一般原理,使学生掌握电化学的基本理论和技 能

问题的提出:所有固体都包含大量的电子,但电子的导电性却相差非常大

中国著名核物理学家、纳米专 家、半导体专家等科技界权威人士今天聚会,纪念100年前创立、对本世纪经 济、科技、军事和社会进程产生重大影响的量子论。 应用量子论,参与研制中国第一颗原子弹的物理学家、中国科学协会主席 周光召在纪念大会上说,量子论和量子力学对人类社会的科学、哲学、技术和 经济带来了巨大的影响

上一章建立在量子理论基础上的金属自由电子理论,虽然取得了较大成功,能够解 释金属电子比热、热电子发射等物理问题,但仍有不少物理性质,如有些金属正的霍耳 系数,固体分为导体、半导体和绝缘体的物理本质,以及部份金属电导率有各向异性等, 是这个理论无法解释的

光电器件主要分成外光电效应(光电发射效应, 分表面效应和体效应,金属和金属氧化物)和内光电效应(光电导效应和光生伏特效应,半导体) 就光电器件而言,最重要的参数是:灵敏度、驰豫时间和光谱分布。其次是温度特性、噪声特性等

◼ §2.1.1 半导体光源的物理基础 ◼ §2.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动 ◼ §2.1.3 LED的特性 ◼ §2.1.4 LED的特点及应用