一、导体、绝缘体、半导体 二、制造半导体器件的材料 1-1 半导体物理基础知识 1-2 PN结 1-3 晶体二极管及其基本电路

一、 导体 二、电介质 三、 磁介质 四、媒质中的麦克斯韦方程组 五、电磁场的边界条件

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

上一章建立在量子理论基础上的金属自由电子理论，虽然取得了较大成功，能够解 释金属电子比热、热电子发射等物理问题，但仍有不少物理性质，如有些金属正的霍耳 系数，固体分为导体、半导体和绝缘体的物理本质，以及部份金属电导率有各向异性等， 是这个理论无法解释的

所谓材料，是指人类能用来制作有用物件的物质。新材料是 指最近发展或正在发展之中的具有比传统材料更为优异性能的一 类材料。 按大的类别划分：金属材料、无机非金属材料、有机高分子 材料、复合材料

一、电容器的电能 二、静电场的能量 能量密度

一、电介质对电容的影响 相对电容率 二、电介质的极化 无极分子电介质：（氢、甲烷、石蜡等） 有极分子电介质：（水、有机玻璃等）

所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产 生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔 实验目的 发现的 实验原理 根据霍尔效应做成的霍尔器件,广泛应用于传感和开关设备

11-1圆柱形电容器内、外导体截面半径分别为R1和R2(R1