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Diffusion: Read Plummer Chap. 7, sections 7.1-7.4,, 7.53, 7.5.8 Show that c(zt) Wroexpfzla)I,with a=2VDf, is a solution to Fick's second law of diffusion. ac(z, t) dc(zt) 2. a) What is the intrinsic carrier concentration in Si at 1100 C? b) Calculate the effective diffusivity (including first-order, charged-vacancy corrections)for As impurities in Si at 1100 C for two cases: 1)CAs=10 cm and ii)

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8.1 通信的有关概念 8.1.1 串行通信的相关概念 8.1.2 并行通信的相关概念 8.2 串行接口 8.2.1 单片机的串行接口 8.2.2 RS232串行通信接口 8.2.3 RS485通信接口 8.2.4 SPI通信接口 8.2.5 I 2C通信接口 8.3 并行总线接口的使用方法 8.3.1 文件管理控制芯片CH376简介 8.3.2 CH376的常用命令 8.3.3 CH376使用步骤和实例代码

❑ 1.1 Introduction ❑ 1.2 Overview on Manufacturing Process ❑ 1.3 The MOS(FET) Transistor ❑ 1.3.1 I-V/C-V characteristics (self-learning) ❑ 1.3.2 SPICE Models ❑ 1.4 Process Variations