5.1硬盘存储器 5.1.1基础知识:认识硬盘 硬盘是计算机中存储数据的主要配件工具,断电后,存 储的数据信息可以长期保存,是计算机中最重要的存储部件

在750℃下对近片层Ti-45Al-8Nb-0.2W-0.2B-0.1Y合金进行了静拉伸和循环变形，观察和分析变形后试样的微观组织.合金在750℃时的循环应力-应变曲线位于静拉伸应力-应变曲线之上，显示出明显的循环硬化特征；在循环变形过程中呈现先硬化后稳定.透射电镜观察显示，在750℃下循环变形和拉伸的合金试样中均发现有大量的位错钉扎、塞积及缠结存在，而形变孪晶仅在循环变形后的合金试样中存在.合金在750℃下的循环变形中孪生起重要作用

操作系统为所有的软件创建了一个通用 平台。因为每个程序员都有自己的存储 格式。如果没有操作系统,就不可能在 同一个磁盘上存储由不同的程序创建的 文件。 操作系统也提供了一个工具,来完成应 用程序外部执行的任务。实际上操作系 统由通用平台(如 windows)、BIOS和

它是20世纪80年代初,由美国国防部为其超 高速集成电路 VHS计划提出的硬件描述语言, 它支持硬件的设计、综合、验证和测试。 IEEE于1987年公布了VHDL的标准版本(IEEE STD1076/1987),1993年重新公布了新的标准 (IEEE STD1076-1993)

立方氮化硼(CBN)是一种硬度仅次于金刚石的人工合成超硬材料。本文研究了立方氮化硼在高压下的烧结工艺。发现CBN粉末料的纯度和表面状况对CBN聚晶的高压烧结有着十分重要的影响。实验证明,无论纯CBN或加有金属粘结剂的CBN聚晶,采用尽可能高的压力和选择合适的烧结温度才能得到高性能的聚晶。本文对CBN聚晶中粘结剂的作用和纯CBN聚晶的强度进行了理论探讨和实验论证。並认为CBN的高压烧结具有碳化物等粉末冶金材料热压过程的基本特征,颗粒滑动和压碎、塑性变形、体积扩散、晶界扩散等是高压烧结时的致密化机构

为了研究酸性环境对富水充填材料的影响,通过强度检测、扫描电镜、能谱分析及X射线衍射(XRD)等实验手段,分析富水充填材料在酸性环境中浸泡后的宏观性能及微观结构变化,并探讨其腐蚀及劣化机理.结果表明:富水充填材料在pH值为1和3的盐酸溶液中浸泡180 d后抗压强度比标养28 d的强度分别降低88.8%和58%,在pH值为3的硫酸溶液中浸泡后降低68%,pH值为1的硫酸溶液中浸泡后强度降为零;微观实验结果显示随着富水充填材料在硫酸溶液中浸泡时间的延长,试件内部有二水石膏生成,盐酸溶液中试件仅在pH值为1的溶液中浸泡180 d后产生二水石膏;盐酸溶液对富水充填材料的腐蚀主要为H+中和作用下硬化体结构的溶解腐蚀,硫酸溶液对材料的腐蚀为硬化体结构的溶解腐蚀和石膏的膨胀腐蚀;硫酸溶液对富水充填材料的腐蚀作用强于盐酸溶液

ABEL一HDL硬件描述语言 ABEL语音是 DATA美国 IO公司开发的一种逻辑设计 软件,它是最早流行的硬件描述语言,简单易学,有多种 EDA开发软件支持。它能支持多种型号的PLD器件(主要 是 Lattice公司的芯片)

一、重要概念 二、BIOS(basic input/output system,基本输入 输出系统) 三、引导或自举(BOOT) 四、时钟(Clock) 五、CMOS(互补氧化物半导体) 六、CPU(central processing unit,中央处理单元

为了研究碳酸根离子对富水充填材料的影响,通过强度检测、扫描电镜观察、X射线衍射分析和红外光谱测试,分析富水充填材料在碳酸钠溶液中浸泡后的宏观及微观结构变化,并对其腐蚀及劣化机理进行探讨.富水充填材料在质量分数为10%的碳酸钠溶液中浸泡后,抗压强度随浸泡时间延长大幅度降低,浸泡90 d后抗压强度比标养28 d抗压强度降低72.5%,浸泡28 d后出现泥化现象.X射线衍射图谱显示,富水充填材料在质量分数为10%的碳酸钠溶液中浸泡后有碳硫硅钙石生成,且随浸泡时间延长碳硫硅钙石的生成量增大.红外光谱结果未发现[AlO6]存在,证实在碳酸钠溶液中富水充填材料硬化体中钙矾石急剧减少,转变为烂泥状的碳硫硅钙石;碳硫硅钙石作为无胶结力物质,会对富水充填材料硬化体造成严重破坏,表明碳酸盐溶液对富水充填材料具有腐蚀作用

17.1微机的日常使用与保养 17.2微机故障类型及原因 17.3硬件故障的查找方法 17.4硬件维护维修工具 17.5阅读资料:微机常见故障及排除