11.1 液力耦合器的工作原理 11.2 液力耦合器的特性 11.3 液力耦合器的类型和结构 11.4 液力耦合器与内燃机的共同工作 11.5 液力耦合器的选择

重点掌握政治地理现象，政治地理单元,政治地理结构,国家政治地理特征，国家权力要素及分析，全球政治地理格局的基本特征等。掌握国家实力分析，全球政治地理格局的形成，全球政治地理格局的主要学说等

针对传统熔融沉积成型面临的成型精度低和打印材料受限, 基于电流体动力熔融沉积在成形高度、材料种类、基板导电性和平整性、3D成形能力等方面的不足和局限性, 本研究提出一种电场驱动熔融喷射沉积3D打印新工艺, 其采用双加热集成式喷头并施加单极脉冲高电压(单电势), 利用电场驱动微量热熔融材料喷射并精准沉积来形成高分辨率结构.引入两种新的打印模式: 脉冲锥射流模式和连续锥射流模式, 拓展了可供打印材料的种类和范围.通过理论分析、数值模拟和实验研究, 揭示了所提出工艺的成形机理、作用机制以及成形规律.利用提出的电场驱动熔融喷射沉积3D打印方法, 结合优化工艺参数, 完成了三个典型工程案例, 即大尺寸微尺度模具、大高宽比微结构、宏微跨尺度组织支架和网格三维结构.其中采用内径250 μm喷头, 打印出最小线宽4 μm线栅结构, 高宽比达到25:1薄壁圆环微结构.结果表明, 电场驱动熔融喷射沉积高分辨率3D打印具有打印分辨率高、材料普适性广、宏/微跨尺度的突出优势, 为实现低成本、高分辨率熔融沉积3D打印提供了一种全新的解决方案

中毒性休克或脓毒性休克（sepsis shock），是指由微生物及其毒素等产物引起微循环障碍和血流动力学异常，导致组织细胞缺血缺氧、代谢紊乱、功能障碍甚至多脏器功能衰竭的严重综合征。 病因与发病机制 容易引起休克的感染部位 致病机理 重要脏器的结构与功能改变 临床表现 诊断 ➢感染性疾病存在的依据 ➢休克存在的依据 治疗 ➢一般紧急处理 ➢抗休克治疗 ➢病因治疗

埃洛石是一种卷曲的层状硅铝酸盐黏土，其储量丰富、价格低廉。埃洛石的内外表面分别由Al?OH八面体和Si?O四面体组成，它们在水中以相反的方式电离，导致埃洛石管腔内带正电荷，外表面带负电荷，因此可分别利用内外表面成分与电荷性质的不同对其进行疏水改性，用于药物的装载和缓释。同时，埃洛石具有纳米管状结构，可用来构造微?纳米分级结构，协同低表面能物质的修饰，增强界面疏水性能，用于高效自清洁和油水分离。本文在介绍埃洛石的疏水结构设计理论的基础上，综述了埃洛石纳米管（HNTs）的表面进行疏水改性所得到的复合材料在油水分离、疏水自清洁涂料以及药物的装载和释放方面的应用

在青岛典型的工业海洋大气环境下,进行硼硫酸阳极氧化6061铝合金与不同表面状态的30CrMnSiNi2A结构钢偶接件的户外大气暴露试验,通过电化学测试、腐蚀产物分析、力学性能检测、断口分析等,研究了偶接件中阳极氧化6061铝合金的腐蚀规律与机理.结果表明:经1 a户外大气暴露试验后,与镀镉钛结构钢偶接的6061阳极氧化铝合金力学性能最优,其强度σb和延伸率δ分别比原始试样下降6.45%和4.39%,远优于与结构钢裸材偶接的阳极氧化6061铝合金试样(分别下降10%和62.28%),略优于未偶接试样(分别下降6.77%和10.74%).沿晶腐蚀和表面点蚀是导致阳极氧化6061铝合金力学性能下降的主要原因,最严重的沿晶腐蚀裂纹深度达150 μm.青岛大气中的硫化物不仅会侵蚀试样表面形成硫酸铝,还会浸入到晶界促进沿晶腐蚀

重点： 1．亲电取代反应。 2．取代基的定位效应。 3．芳香性。 难点： 1．对芳香性的理解。 2．取代基定位效应的判断和应用及其原理。 第一节 苯的结构 第二节 芳烃的异构现象和命名 第三节 单环芳烃的性质 第四节 苯环的亲电取代定位效应 第五节 几种重要的单环芳烃 第六节 多环芳烃 第七节 非苯系芳烃 第八节 富勒烯与C60

内容主要有： 半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、参数 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管和场效应管

西安电子科技大学：《光电探测技术与系统》课程电子教案（PPT课件讲稿）第06章 光电成像探测传感器 §6.1 光电成像器件的发展与分类 §6.2 光电成像系统的一般结构 光学系统、扫描器、探测器和致冷器、图像处理及分析

§8.1 光纤测试技术基础 8.1.1 光纤结构 8.1.2 光纤类型 8.1.3 光纤传输特性 8.1.4 单模光纤的偏振与模式双折射 8.1.5 光纤的连接耦合技术 §8.2 光纤传感器的原理与实现 8.2.1 强度调制光纤传感器 8.2.2 相位调制光纤传感器 8.2.3 频率调制光纤传感器 8.2.4 偏振调制光纤传感器 8.2.5 波长调制光纤传感器 §8.3 光纤布拉格光栅传感器 8.3.1 传感原理 8.3.2 解调技术 8.3.3 封装增敏和复用技术