7.1 平板显示器的构成与性能参数 7.2 液晶的电光响应特性 7.3 TFT-LCD像素架构 7.4 TFT-LCD的像素级驱动原理 7.5 TFT-LCD的驱动系统 7.6 α-Si:H TFT背板制造技术 7.7 LTPS TFT-LCD中的集成技术 7.8 低功耗TFT LCD 7.9 LTPS TFT 背板制造工艺技术

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用

在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

3.1概述 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

受精卵发育成胚,初生胚乳核发育成胚乳,胚珠发育成种子,子房壁发育成果皮,子房及 花的其它部分发育形成果实。种胚和胚乳(或子叶)的发育是相伴而行的。 在种子的成熟过程中,不断输入可溶性的低分子物质,逐渐转化为不溶性的高分子化合物 如淀粉、蛋白质、脂肪等贮藏起来。此外,有酶活性的变化,激素的调控等。脂肪是由碳水化 合物转化而来

1：传、接球：行进间低手传、接球。 2：投篮：复习行进间单手低手投篮。 3：运球：学习跨下运球

一、片上系统SOC的优势 1、高性能 2、低功耗 3、体积小 4、重量轻 5、成本低

2.1 带通与低通信号的表示 2.2 波形的信号空间表示 2.3 带通和低通随机过程

一、填空题(每空1分,共10分) 1.100000,1《000000r0f010080c2,3;《,80;2.高低;3.低,并联使用; 4.Qn+1=D;5.0;6.施密特;