2．1．1 概述 2．1．2 土方量的计算 2．1．3 施工准备及辅助工作 2．1．4 土方机械化施工 2．1．5 土方开挖与回填 2．1．6 土方工程常见问题及处理

以LiNO3和TiO2为初始反应物,固相法合成了Li4Ti5O12(M1).X射线衍射实验结果表明,所得粉体为较纯的尖晶石结构的Li4Ti5O12复合氧化物.Li4Ti5O12电极以35mA·g-1电流密度恒流充放电,首次放电容量达到170mAh·g-1,接近理论容量,首次充放电效率为92%.其在大电流密度下充放电性能良好,以175,350,875mA·g-1的电流密度放电,放电容量分别达到了151,140,115mAh·g-1;与传统方法使用LiOH和TiO2固相合成的Li4Ti5O12(M2)加以比较,3个倍率下的放电容量分别提高了约5%,10%和26%.循环伏安曲线表明:M1电极电位极化小,可逆性好,电极电化学活性高;M1电极嵌入/脱出锂后交流阻抗测试表明其电化学反应阻抗分别为16和20Ω

对产烟酸羟化酶的菌株Pseudomonas sp.BK-1的培养条件进行了优化,结果表明10g·L-1蔗糖为最佳碳源,20g·L-1玉米浆为最佳氮源,诱导物烟酸浓度12.5g·L-1,培养基的最适初始pH值7.0.5L发酵罐中进行发酵,在转速400r·min-1、通气量4.2L·min-1、30℃条件下,16h时酶活可达1.47U·mL-1.经36h的连续催化,产物6-羟基烟酸的浓度可以积累到154g·L-1

采用还原焙烧、磁选工艺流程和粉矿直接入炉焙烧技术,对难选低品位硼铁矿中硼的富集进行了研究.按化学当量比C/O=1(原子比)进行配碳,使用马弗炉进行焙烧实验,在500~1 450℃研究了不同焙烧温度下硼品位和硼回收率的变化.研究结果表明:随着焙烧温度的提高,铁晶颗粒增大,在1 200℃时硼精粉品位达到14.29%,满足硼化工工业对硼品位的要求(ω(B2O3) ≥ 12%);硼回收率在1 200℃以上时能达到90%以上.当焙烧温度在1 350℃以上时,硼的回收率和品位没有太大的变化.焙烧温度选择在1 200~1 350℃为宜,既能实现高的硼回收率,硼品位又能满足硼化工工业的要求

研究了几种钙钛矿结构以及类钙钛矿结构材料的电导性能.实验表明,La0.8Sr0.2MnO3, La0.8Sr0.2Ni0.1Mn0.9O3,La0.8Sr0.2Ce0.1Mn0.9O3和SrFe0.5Co0.5O3电导率相差不大,均为10-1S·cm-1数量级;高温熔盐中耐侵蚀性能优良的LaLiMnOy和LaLi0.5MnOy电导率差别很大,前者电导率大于1 S·cm-1,达到了MCFC阴极对材料电导性能要求,而后者仅为10-2S·cm-1数量级.高达0.191 eV的电导激活能可能是LaLi0.5MnOy电导率过低的原因

1-1水力学的任务及发展简史 1-2流体的基本特征与连续介质 1-3液体的主要物理性质 1-4作用在液体上的力 1-5水力学的研究方法

§1-1理想气体状态方程及微观模型 §1-2道尔顿定律和阿马格定律 §1-3实际气体的p、V、T性质 §1-4范德华方程与维里方程 §1-5实际气体的液化与临界性质 §1-6对比状态原理与压缩因子图

§1-1理想气体状态方程及微观模型 §1-2道尔顿定律和阿马格定律 §1-3实际气体的p、V、T性质 §1-4范德华方程与维里方程 §1-5实际气体的液化与临界性质 §1-6对应状态原理与压缩因子图

4.1 光束的调制原理概述 4.1.1 振幅调制 4.1.2频率调制和相位调制 4.1.3 强度调制 4.1.4 模拟调制与数字调制 4.1.5脉冲编码调制 4.2 直接调制 4.2.1半导体激光器（LD）直接调制的原理 4.2.2半导体发光二极管（LED）的调制特性 4.2.3半导体光源的模拟调制 4.2.4半导体光源的脉冲编码数字调制 4.3半导体激光器的直接调制特性 4.3.1 调制特性 4.3.2 温度特性与自动温度控制 4.3.3 纵模性质 4.3.4 半导体激光器调制特性的实验研究 4.4 LiNbO3晶体电光强度调制特性 4.4.1 LiNBO3晶体横向强度调制原理 4.4.2直流偏压工作点对输出特性的影响 4.4.3 1/4波片对输出特性的影响 4.4.4 调制特性的实验研究 4.5 法拉第效应 4.5.1 实验研究 4.5.2 法拉第效应的应用 4.6 声光技术的发展动态及其应用 4.6.1 声光技术的发展动态 4.6.2 声光技术在激光技术领域中的应用 4.6.3 声光器件在军事中的应用

1-1图幅和图标 1-2图线和比例 1-3尺寸标注 1-4图纸上的字体 1-5绘图仪器 1-6几何作图