点击切换搜索课件文库搜索结果(406)
文档格式:PDF 文档大小:520.27KB 文档页数:4
利用液体选择培养基、固体选择培养基从污泥中筛选出一种可以氧化低价硫的菌株,该菌为革兰氏阴性菌,在光学显微镜下有较强的运动能力.对含有该菌的培养基进行pH值检测,在培养的第3天发现pH值有显著下降,继续培养一周左右,pH值下降到0.6;用离子色谱进行检测,培养5天,液体培养基中硫酸根含量从249.2mg·L-1增加到3679.7mg·L-1;将菌液加入FeS培养基中,培养2周后,FeS被氧化,培养基颜色变浅
文档格式:PPTX 文档大小:5.57MB 文档页数:60
认真学习习近平总书记在中央“不忘初心、牢记使命”主题教育工作会议上的重要讲话精神,学习贯彻中央和省委对开展“不忘初心、牢记使命”主题教育的部署要求; 准确理解新时代高校党的建设使命要求; 担当作为,为推动学校高质量发展而努力奋斗;
文档格式:PPT 文档大小:1.88MB 文档页数:139
基本术语 二叉树的类型定义 二叉树的重要特性 二叉树遍历(Binary Tree Traversal) 森林与二叉树的转换 二叉树的类定义 二叉树前序遍历非递归算法 二叉树中序遍历非递归算法 应用二叉树遍历的事例 线索二叉树 寻找当前结点在中序下的后继 哈夫曼树(Huffman Tree)与哈夫曼编码 构造哈夫曼树(以二叉树为例)
文档格式:PDF 文档大小:407.55KB 文档页数:5
针对满足换基规定的单纯形法可能出现的迭代不下去的问题,构造了使迭代得以继续的补充算法.这个补充算法的基本思想是暂时放弃换基规定,首先进入与所解问题对应的线性规划的最优基本可行解集中;然后,在这个集合中进行基变换,直到得到二次规划问题的最优解.经证明,改进后的算法取消了原算法收敛性定理所需的3个条件,使得它可求解任何一个凸二次规划问题.计算实例证明,补充算法有较好的结果
文档格式:PDF 文档大小:1.92MB 文档页数:64
 1. 中国历代重要的思想家 Chinese Key Philosophers Through the Ages  2. 中国传统思想的继承与革新 Inheritance and Innovation of Chinese Traditional Thoughts  3. 传统思想对中国社会及中国人的影响 Influences of Traditional Thoughts upon Chinese Society and Chinese People
文档格式:PPT 文档大小:93KB 文档页数:1
一、实验目的 1. 继续学习函数的定义与调用, 注意参数的使用方法 2. 学习简单的指针变量的应用 二、实验题目 1、 将教材105页的例3.16上机运行, 真正理解swap函数中指针变量作参数的含义
文档格式:PDF 文档大小:590.01KB 文档页数:5
采用燃烧合成工艺,制取了细长的β-Si3N4纤维·纤维顶端有小球,小球中含Si,Al成分,纤维有扭曲、拧结现象.VLS机制是控制纤维生长的主要机制.晶体顶端有螺旋生长蜷线.燃烧合成的β-Si3N4为六方柱晶,表面无缺陷。柱晶主要通过VC机制生长。β-Si3N4柱晶是从微晶β-Si3N4中长出的,其生长具有晶格继承性.异相添加剂和少量杂质Al的引入有利于形成较长的柱晶和纤维。控制原始反应物中的添加剂含量,保持较高的燃烧温度,是制取β-Si3N4纤维的关键
文档格式:PDF 文档大小:476.72KB 文档页数:4
采用相分析和X射线衍射技术,研究了含Ti、Nb等微合金元素的高强钢中碳氮化物的溶解行为.结果表明,加热到1250℃,未均热时,主要是面心立方结构的Ti(CN)、(TiNb)(CN)、TiC析出相;均热时间为45min,部分Ti和Nb继续溶解,析出相转为Ti(CN)、TiC为主,平均颗粒尺寸由300nm增大为323nm,此时Ti、Nb固溶已经达到平衡,固溶率分别为64.2%和85.8%.当保温80min时,析出相含量基本没有变化,但颗粒尺寸有所增加
文档格式:PPT 文档大小:744.5KB 文档页数:79
◼ 介绍C++与Linux下C++编译 g++, gmake ◼ C++的基本概念 变量,类型与表达式 循环,类型设置,函数 文件与流程 数组,字符串,指针 类,面向对象设计介绍(重点) 内存分配,算符使用与模版 继承关系,标准C++程序库,编译,查错 ◼ 如何进入并使用ROOT程序包
文档格式:PDF 文档大小:713.05KB 文档页数:6
采用电化学阻抗测试技术(EIS)、Mott-Schottky方法对β相模型合金在Cl-溶液环境中形成的表面膜的稳定性和半导体特性进行研究.结果表明,Cl-浓度的增加,使β相表面膜形成和活化溶解的趋势均加剧,即表面膜的稳定性变差.原因在于Cl-浓度较低时,β相表面膜的半导体类型为P型,P型半导体膜是一种阳离子导体膜,Cl-很难通过迁移扩散的方式穿过表面膜.随着Cl-浓度的增大,β相表面膜的半导体类型转变为N型,N型半导体膜便于Cl-穿越膜层到达膜层底部,继续腐蚀金属并使表面膜发生破裂
首页上页2324252627282930下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 406 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有