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文库(405)
西安交通大学:《芯片制造-半导体工艺实用教程》 第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
《机械设计》课程教学资源:课程各部部分习题及解
文档格式:DOC 文档大小:90.5KB 文档页数:8
一、补充题 1.在齿轮传动的设计和计算中,对于下列参数和尺寸应标准化的有(1)、(6)应 圆整的有(5)、(9)没有标准的化也不应圆整的有(2)、(3)、(4)、 (7)、(8)、(10) (1)斜齿圆柱齿轮的法面模数m(2)斜齿圆柱齿轮的端面模数m (3)分度圆直径d;(4)齿顶圆直径da;(5)齿轮宽度B (6)分度圆压力角a;(7)斜齿轮螺旋角B;(8)变为系数x; (9)中心距a; (10)齿厚s 2.材料为20Cr的齿轮要达到硬齿面,适宜的热处理方法是(2) (1)整体淬火;(2)渗碳淬火;(3)调质;(4)表面淬火
《冲压模具设计与制造》 第一章 冲压模具设计与制造基础
文档格式:PPT 文档大小:12.26MB 文档页数:40
内容简介: 本章讲述冲压模具设计与制造的基础知识。 涉及冲压和冲模概念、冲压工序和冲模分类;常见冲压 设备及工作原理、选用原则;冲压成形基本原理和规律;冲 压成形性能及常见冲压材料;模具材料种类、性能、选用原 则及热处理方法;模具制造特点、模具零件加工方法及应用 等
石河子大学:《建筑材料》课程教学资源(PPT课件)建筑钢材
文档格式:PPT 文档大小:380.5KB 文档页数:86
第一节 概述 第二节 建筑钢材的力学性能和工艺性能 第三节 建筑钢材的晶体组织和化学成分 第四节 钢的冷加工和热处理 第五节 建筑钢材的技术标准与选用 第六节 钢材的腐蚀与防护
东南大学:分析测试中心学习指导(实验原理)工程材料实验(共七个实验)
文档格式:PDF 文档大小:2.88MB 文档页数:35
实验一 金相样品的制备 实验二 铁碳合金的平衡组织 实验三 钢铁材料的非平衡组织 实验四 其它常用金属材料的显微组织 实验五 金属的硬度与冲击 实验六 碳钢的热处理 实验七 金属材料综合实验
《机械设计基础》课程教学资源(PPT课件讲义)第十章 齿轮传动
文档格式:PPT 文档大小:2.11MB 文档页数:38
第十章齿轮传动 一、轮齿的失效形式 二、齿轮材料及热处理 三、齿轮传动 四、齿轮传动的精度 五、直齿圆柱齿轮传动的作用力及计算载荷 六、直齿圆柱齿轮传动的齿面接触强度计算
《机械设计基础》课程教学资源(PPT课件讲义)第十三章 齿轮传动
文档格式:PPT 文档大小:2.29MB 文档页数:43
第13章齿轮传动 13-1轮齿传动的失效形式及设计准则 13-2齿轮材料及热处理 13-3齿轮传动的精度 13-4直齿圆柱齿轮传动的作用力及计算载荷 13-5直齿圆柱齿轮传动的强度计算 13-6斜齿圆柱齿轮传动的强度计算 13-7齿轮的结构、齿轮传动的润滑和效率
北京工业大学:《材料科学与工程学导论》课程教学资源(试卷习题)第三章 第一部分习题
文档格式:DOC 文档大小:24KB 文档页数:1
一、填空题: 1、碳的质量分数的铁碳合金称之为铸铁,通常还含有较多的Mn、等元素。 2、优质碳素结构钢的钢号是以来表示的。 3、碳钢常规热处理有四种
广东工业大学:《机械设计基础》课程教学资源(PPT课件讲稿,四)JM-8-0 齿轮传动
文档格式:PPT 文档大小:198KB 文档页数:1
齿轮传动 1概述 2齿廓啮合基本定律 3渐开线及渐开线齿轮 4渐开线标准齿轮各部分名称和几何尺寸 5渐开线直齿圆柱齿轮传动 6渐开线齿廓的切制原理、根切和最少齿数 7斜齿圆柱齿轮传动 8齿轮的材料及热处理 9轮齿的失效形式及计算准则 10圆柱齿轮传动的强度计算 11圆锥齿轮传动 12蜗杆传 13轮系
《芯片制造半导体工艺实用教程》教学课件(PPT讲稿)第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
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