一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

提出以溶胶凝胶法制备含银Na2O-B2O3-SiO2玻璃的工艺及制备过程,用X射线衍射及红外吸收光谱分析制备过程中结构变化,用光学吸收谱、透射电镜及能谱分析确定银胶体粒子的存在及其分布.结果表明,溶胶凝胶法制备与传统熔融法制备的玻璃有相同的结构,且通过适当的热处理工艺可以获得尺寸有一定分布的银粒子.该方法既可以用于颜色玻璃的制备,其产品也可作为制备其他材料的原料

采用磁控溅射方法,分别在纯Fe以及低硅钢基片上沉积富Si膜,并对其进行真空扩散热处理.通过能谱分析及X射线衍射研究了Si在纯Fe与低硅钢基体中的扩散特征,运用DICTRA软件建立了扩散模型.研究发现Si在纯Fe基体中扩散时发生γ-Fe(Si)→α-Fe(Si)相转变,扩散速率受控于相界面的迁移.当沿截面Si含量梯度不足以驱动相界面正向迁移时,延长扩散时间会发生相界面回迁现象,最终趋于单一相内均匀化扩散过程.Si在低硅钢基体中的扩散符合Fick扩散第二定律

以Cu-Al水雾化合金粉末为原料,通过内氧化方法制备了Al2O3弥散强化铜复合材料,使用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)结合X射线衍射等手段,对复合材料进行了综合研究.结果表明:γ-Al2O3弥散相粒子在基体内均匀分布,尺寸约6nm,间距30～50nm.挤压态棒材的相对导电率为87%IACS,软化温度达850℃.挤压态的25mm弥散强化铜棒材不经过任何中间热处理,直接冷拉拔得到1mm的铜丝,其抗拉强度高达680MPa

用端淬法研究了微量钙对45钢淬透性的影响,以及对正火态、调质态及淬火低温回火态的显微组织和室温冲击韧性的影响;用俄歇能谱(AES)分析了沿晶断口表面钙的含量.结果表明,微钙钢的淬透性稍低于无钙钢;微钙钢的奥氏体晶粒粗化、珠光体片层间距显著增大,3种热处理状态下的室温冲击韧性均有所降低.这些现象与中碳合金钢中所得结果有明显不同.根据钙在奥氏体晶界的偏聚现象及其与其他元素的偏聚互作用理论,对此进行了讨论

用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在不同温度下对两种样品退火.结果表明:在NiCo厚度相同的情况下,以NiFeCr作为缓冲层的样品的各向异性磁致电阻(AMR)值明显高于Ta作为缓冲层的样品.X射线衍射(XRD)的结果表明,NiFeCr/NiCo薄膜的晶粒平均尺寸大于Ta/NiCo薄膜,且两种样品的磁膜/缓冲层界面存在较大差异,这可能是造成两者AMR差异的原因.此外,对样品进行温度适当的热处理可以明显改善薄膜的物理性质

研究了基体中不同合金元素及热处理对高碳、高合金铁基渗铜烧结阀座材料的密度和力学性能的影响。结果表明,用机械混合高碳、高合金粉末压坯经过一步法烧结/熔渗后,密度达到7.88g/cm3(相对密度98.2%),硬度和抗弯强度分别达到HRc45.4和1124MPa。将渗铜后的材料在900℃淬火,580℃高温回火后,铁颗粒中组织主要为回火马氏体,材料硬度达到HRc40以上

一、补充题 1.在齿轮传动的设计和计算中,对于下列参数和尺寸应标准化的有(1)、(6)应 圆整的有(5)、(9)没有标准的化也不应圆整的有(2)、(3)、(4)、 (7)、(8)、(10) (1)斜齿圆柱齿轮的法面模数m(2)斜齿圆柱齿轮的端面模数m (3)分度圆直径d;(4)齿顶圆直径da;(5)齿轮宽度B (6)分度圆压力角a;(7)斜齿轮螺旋角B;(8)变为系数x; (9)中心距a; (10)齿厚s 2.材料为20Cr的齿轮要达到硬齿面,适宜的热处理方法是(2) (1)整体淬火;(2)渗碳淬火;(3)调质;(4)表面淬火

内容简介: 本章讲述冲压模具设计与制造的基础知识。 涉及冲压和冲模概念、冲压工序和冲模分类;常见冲压 设备及工作原理、选用原则;冲压成形基本原理和规律;冲 压成形性能及常见冲压材料;模具材料种类、性能、选用原 则及热处理方法;模具制造特点、模具零件加工方法及应用 等

研究了Ti50Al50混合粉末在氮气氛的机械合金化过程。球磨30h后Ti50Al50混合粉末已形成非晶合金;经适当的热处理,可原位形成纳米复合材料γ-TiAl+Ti2AlN