对高炉上部中、低温区和下部高温区取砖样,应用热力学计算、扫描电镜和能谱分析等方法,从热力学和微观机理两方面研究了高炉衬砖侵蚀机理.结果表明:K对碳砖的侵蚀具有穿透力,Na则没有;K是通过K蒸气穿透到砖中,而Na是通过气体带着Na的化合物渗透到砖缝中.在高温区Zn对砖的侵蚀作用很小,中、低温区Zn对砖的侵蚀影响最大

分析了涡壶旋风粉煤燃烧器具有高捕渣率、高燃尽率、高容积热强度、低污染等三高一低旋风燃烧的机理,介绍了燃烧器内粘流旋涡速度分布公式及2次风口后倾冷态试验测定的速度场,并进行了热力计算

热力学第一定律给出了各种形式的能量 在相互转化过程中必须遵循的规律,但并未 限定过程进行的方向。观察与实验表明,自 然界中一切与热现象有关的宏观过程都是不 可逆的,或者说是有方向性的。例如,热量 可以从高温物体自动地传给低温物体,但是 却不能从低温传到高温。对这类问题的解释 需要一个独立于热力学第一定律的新的自然 规律,即热力学第二定律

采用Gleeble-1500D热模拟试验机研究了9Cr低活化马氏体钢在950~1200℃、应变速率为10-2~10s-1变形条件下的热压缩变形行为,并用金相显微镜观察了相应显微组织的变化.回归分析得出在0.15~0.8真应变量范围内变形激活能和材料常数随真应变量变化的关系式,并得出双曲正弦本构方程;利用数学方法直接从真应力-真应变曲线获得动态再结晶的峰值应力、临界应力、峰值应变和临界应变;回归得出了峰值应力、临界应力、峰值应变、临界应变和动态再结晶晶粒大小与Zener-Hollomon参数的关系式

ARM( Advanced rIsC Machines)是微处理器行业的一家知名企业,该企业设计了 大量高性能、廉价、耗能低的RISC处理器、相关技术及软件。技术具有性能高、成本 低和能耗省的特点,适用于多种领域,比如嵌入控制、消费/教育类多媒体、DSP和移 动式应用等。 ANM将其技术授权给世界上许多著名的半导体、软件和OEM厂商,每个厂商得到的 都是独一无二的ARM相关技术及服务,利用这种合作关系,ARM很快成为许多全球性RISC 标准的缔造者

针对包晶钢的凝固特性,研发了高碱度、高结晶速率、低结晶温度及低热流密度保护渣,并在宝钢3#连铸机上进行了试验研究.现场试验四个浇次的结果表明,使用改进渣的试验流铸坯无纵裂发生,而使用原渣的对比流铸坯裂纹率达到5%.优化保护渣有效防止了铸坯表面纵裂的发生

在实验室1573～1673 K条件下对铁水预处理过程进行了脱氮研究.结果表明,铁液中氧、硫和碳含量都在不同程度上影响氮在铁水中的溶解度,并用线形回归方法得到了氮溶解度与碳含量的关系式.预处理过程中初始碳含量对脱氮影响较为明显,在供氧强度相同的条件下,脱氮量随着铁水中碳含量的增加而增加.同时研究发现过程脱碳的同时能有效地脱氮,且脱碳量越大脱氮率越高.终点最低氮含量可达13×10-6,脱氮率超过50%,可满足超低氮钢对铁水中氮含量的要求

一、例题精解 【例题8.1】判断下列叙述是否正确 (1)对称的三相交流电流通入对称的三相绕组中,便能产生一个在空间旋转的、恒速的、幅度按正弦规律变化的合成磁场。 (2)异步电动机的转子电路中,感应电动势和电流的频率是随转速而改变的,转速越高,则频率越高;转速越低,则频率越低

计算机系统对存储器的要求是：容量大、速度 快、成本低，但由于各类存储器各具其特点， 即半导体存储器速度快、成本较高；磁表面存 储器容量大、成本低但速度慢，无法与CPU高 速处理信息的能力相匹配。因此，在计算机系 统中，通常采用三级存储器结构，即使用高速 缓冲存储器、主存储器和外存储器组成的结构。 CPU能直接访问的存储器称为内存储器，它包 括高速缓冲存储器和主存储器； CPU不能直接 访问外存储器，外存储器的信息必须调入内存 储器后才能为CPU进行处理

一、例题精解 【例题8.1】判断下列叙述是否正确 (1)对称的三相交流电流通入对称的三相绕组中,便能产生一个在空间旋转的、恒 速的、幅度按正弦规律变化的合成磁场。 (2)异步电动机的转子电路中,感应电动势和电流的频率是随转速而改变的,转速 越高,则频率越高;转速越低,则频率越低